STM32G030基于HAL库实现片内flashcu

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第一次写帖子，有不妥之处，请联系更改在操作片内flash过程中需要注意两点
1、对地址的正确操作（地址搞错容易进入MCU休眠状态，无法再重新烧录程序）。要想操作好地址，首先去查阅芯片手册关于flash的地址内容，我使用的是STM32G030C8T6芯片，手册对应的flash地址如下，有一点需要注意，该款芯片page31后面的页数进行操作的时候，可以写入一次但是无法再次进行擦除写入，有没有大佬解答下疑惑？

2、闪存的编程和擦除
通过手册中的描述，在芯片复位以后，Flash编程操作是被保护的，不能写入。通过写入特定的序列KEY、KEY2到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，我们才能操作相关的寄存器。这个操作有官方库中的HAL_FLASH_Unlock()，HAL_FLASH_Unlock()函数来实现，操作完成以后，FLASH_CR便被解锁了，如果写入错误，那么FLASH_CR将被锁定，知道下次复位才可以再次解锁。需要注意的就是在往Flash写入数据以前需要检查该区域是否已经擦除，因为在对Flash进行编程的时候，必须要求其写入地址的Flash是被擦出的（也就是说其值必须是0xFFFFFFFF），否则无法写入

3、标准的编程步骤如下：

解锁。
确保要写入地址的Flash已经擦除完全。
检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，确保当前未执行任何 FLASH 操作。
将 FLASH_CR 寄存器中的 PG 位置 1，激活 FLASH 编程.
针对所需存储器地址（主存储器块或 OTP 区域内）执行数据写入操作.
等待 BSY 位清零，完成一次编程.
上锁

4、代码如下
      #define STM32_Flash_BASE_31  (0x0800F800)        //page31（我操作的页）
    4.1、擦除
         void erase_flash(uint32_t page)
         {
                HAL_FLASH_Unlock();   //解锁

                uint32_t PageError = 0;
                FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
                FlashSet.Banks = FLASH_BANK_1;         //主储存
                FlashSet.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES;                       //擦除类型，页擦除
                FlashSet.Page=page;                           //从哪页开始擦除
                FlashSet.NbPages=1;                       //一次擦除一页
        
                __disable_irq();  //关全局中断
                HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);  //擦除
                __enable_irq();
                HAL_FLASH_Lock();  //锁定
               
        }

      4.1、写入
            void write_flash(uint32_t Flash_Address,uint64_t *Data,uint16_t Length,uint32_t page)
            {
                     HAL_FLASH_Unlock();   //解锁
                     FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
                     FlashSet.Banks = FLASH_BANK_1;         //主储存
                     FlashSet.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES;                       //擦除类型，页擦除
                      FlashSet.Page=page;                                                                           //从哪页开始擦除
                      FlashSet.NbPages=1;

                      uint32_t PageError = 0;
                     __disable_irq();
                   HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);  //擦除
                   __enable_irq();
                for(int i = 0;i<Length;i++)
                 {
                        HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, Flash_Address+i*8, *Data); //写入
                        Data++;
                  }

                 HAL_FLASH_Lock();  //锁定
            }

           4.3读取
                void read_flash(uint32_t Flash_Address,uint64_t *Data,uint16_t Length)
                 {
                         uint32_t Address_r = Flash_Address;
                         for(int i = 0;i<Length;i++)
                         {
                             *Data = *(__IO uint64_t*)(Address_r+i*8);
                                   Data++;
                            }
                  }

gjs13030247996

帮顶一下

迷OO茫

顶一下,你好，可以传例程参考下吗，谢谢