STM32G031 FLASH 擦除操作 报错，进错误中断

Heart丶

int main(void)
{
  APP_Init();
  HAL_StatusTypeDef  flash_status;
  u32 u32flash_err = 0;
  while (1)
  {

                FLASH_EraseInitTypeDef flash_init;
                flash_init.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
                flash_init.Banks = FLASH_BANK_1;
                flash_init.Page = 0x08005000;
                flash_init.NbPages = 1;
                flash_status = HAL_FLASHEx_Erase(&flash_init, &u32flash_err);        //擦除这个扇区
                if(flash_status != HAL_OK)
                {
                        printf("flash =  %d \r\n",u32flash_err);
                }
          
         APP_PollingTask();

  }

}

Heart丶

就这么简单的一个测试函数，不知道错在哪里，看了很久感觉是HAL库的问题。
/**
  * @brief  FLASH Erase structure definition
  */
typedef struct
{
  uint32_t TypeErase;   /*!< Mass erase or page erase.
                             This parameter can be a value of @Ref FLASH_Type_Erase */
  uint32_t Banks;       /*!< Select bank to erase.
                             This parameter must be a value of @ref FLASH_Banks
                             (FLASH_BANK_BOTH should be used only for mass erase) */
  uint32_t Page;        /*!< Initial Flash page to erase when page erase is enabled
                             This parameter must be a value between 0 and (FLASH_PAGE_NB - 1) */
  uint32_t NbPages;     /*!< Number of pages to be erased.
                             This parameter must be a value between 1 and (FLASH_PAGE_NB - value of initial page)*/
} FLASH_EraseInitTypeDef;





/**
  * @brief  Perform a mass erase or erase the specified FLASH memory pages.
  * @param[in]  pEraseInit Pointer to an @ref FLASH_EraseInitTypeDef structure that
  *         contains the configuration information for the erasing.
  * @param[out]  PageError Pointer to variable that contains the configuration
  *         information on faulty page in case of error (0xFFFFFFFF means that all
  *         the pages have been correctly erased)
  * @retval HAL Status
  */
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)
{
  HAL_StatusTypeDef status;
  uint32_t index;

  /* Check the parameters */
  assert_param(IS_FLASH_TYPEERASE(pEraseInit->TypeErase));

  /* Process Locked */
  __HAL_LOCK(&pFlash);

  /* Reset error code */
  pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;

  /* Wait for last operation to be completed */
  status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);

  if (status == HAL_OK)
  {
#if !defined(FLASH_DBANK_SUPPORT)
    /* For single bank product force Banks to Bank 1 */
    pEraseInit->Banks = FLASH_BANK_1;
#endif

    if (pEraseInit->TypeErase == FLASH_TYPEERASE_MASS)
    {
      /* Proceed to Mass Erase */
      FLASH_MassErase(pEraseInit->Banks);

      /* Wait for last operation to be completed */
      status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    }
    else
    {
      /*Initialization of PageError variable*/
      *PageError = 0xFFFFFFFFU;

      for (index = pEraseInit->Page; index < (pEraseInit->Page + pEraseInit->NbPages); index++)
      {
        /* Start erase page */
        FLASH_PageErase(pEraseInit->Banks, index);

        /* Wait for last operation to be completed */
        status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);

        if (status != HAL_OK)
        {
          /* In case of error, stop erase procedure and return the faulty address */
          *PageError = index;
          break;
        }
      }

      /* If operation is completed or interrupted, disable the Page Erase Bit */
      CLEAR_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PER);
    }
  }

  /* Process Unlocked */
  __HAL_UNLOCK(&pFlash);

  /* return status */
  return status;
}

Heart丶

对页的操作原函数如下：STM32G0系列对字节写入改成了64位写一次，不知道为什么这样操作，有点坑，
并且看到一位前辈说，STM32G0无法重复的写内存，如果第一次在内存中写入0xFF后，没有进行擦除操作是没法继续写入的，
所以在操作中加了擦除操作，就出现了上述的问题， HAL库提供的擦除函数 ，一擦出直接返回erro，看了其他F系列芯片好像没这个问题

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,uint64_t *pBuffer,int WordSize)       
{
        static u32 u32sector_addr;           //扇区地址
        u32 u32retain_addr;
        u32 u32flash_err = 0;
        u16 i;   
        u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
        FLASH_EraseInitTypeDef flash_init;
        HAL_StatusTypeDef  flash_status;
        if(WriteAddr<STM32_ADDR_FLASH_SECTOR_0||(WriteAddr>=(STM32_ADDR_FLASH_SECTOR_0+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
       
        HAL_FLASH_Unlock();                                        //解锁
        offaddr=WriteAddr-STM32_ADDR_FLASH_SECTOR_0;                //实际偏移地址.
        u32retain_addr= offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~63 for STM32G031
       
        if(u32sector_addr != u32retain_addr)
        {
                u8FlashErase_Flag = 1;
                u32sector_addr = u32retain_addr;
        }
       
        if(u8FlashErase_Flag)                                //需要擦除
        {
                u8FlashErase_Flag = 0;
                u32sector_addr = u32sector_addr*0x800 + STM32_ADDR_FLASH_SECTOR_0;
                flash_init.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
                flash_init.Banks = FLASH_BANK_1;
                flash_init.Page = u32sector_addr;
                flash_init.NbPages = 1;
                flash_status = HAL_FLASHEx_Erase(&flash_init, &u32flash_err);        //擦除这个扇区
               
                if(flash_status != HAL_OK)
                {
                        printf("flash =  %d \r\n",u32flash_err);
                }
        }
               
        for(i = 0; i< WordSize; i++ )
        {
                if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, WriteAddr+(i*8), pBuffer[i]) != HAL_OK)        //一次写入64字节
                {
                        printf("写入异常！\r\n");
                }       
        }

         
        HAL_FLASH_Lock();                //上锁
}

Heart丶

问题解决了， 本质原因是因为Flash标志位PGSERR和PGAERR上电置位，一直置位无法改变，想不明白为什么。后续看了论坛很多其他小伙伴的问题，都和我对不上，都快放弃了，最后发现是 为了调试方便看门狗初始化被我关了，但是我依然在while中喂狗，把喂狗屏蔽就可以了，好吧，以后不用的代码一定要屏蔽

Heart丶

Heart丶 发表于 2022-2-22 17:22
对页的操作原函数如下：STM32G0系列对字节写入改成了64位写一次，不知道为什么这样操作，有点坑，
并且看 ...

这里的page参数不对，不能填地址，填页码号

tanganrong

楼上说的正确，楼主PAGE参数有问题，可以参考ST例程。

ZJHZXK

你好，想请教个问题，我使用的是STM32G030C8T6进行片内Flash的写过程中，MCU一直死机，是由什么原因引起的呢

Heart丶

tanganrong 发表于 2022-3-9 14:35
楼上说的正确，楼主PAGE参数有问题，可以参考ST例程。

这个有点忘了，最开始写确实是参数不对，后面改了一版，但STM32G0系列的HAL_FLASHEx_Erase函数和STM32F系列的不一样了，参数设置不太相同，这个大家注意一下

Heart丶

ZJHZXK 发表于 2022-3-24 15:52
你好，想请教个问题，我使用的是STM32G030C8T6进行片内Flash的写过程中，MCU一直死机，是由什么原因引起的 ...

在每次写前加一个delay