BootLoader升级后，APP不能跳转

loong122

划分了三个区，分别是BootLoader区和两个APP区，BootLoader区地址为0x8000000-0x8007FFF共32K，APP1 0X8008000~0X8021FFF  ,APP2  0X8022000~0X08039FFFF,
将BootLoader和APP1的BIN文件合并后，APP1跳转正常，程序运行正常，发送升级命令给APP1后置升级标志位，单片机软重启正常，BootLoader程序可正常运行，然后通过 串口发送APP2升级文件，升级数据全部写到APP2区，数据接收完成后无法进行APP2跳转；
通过读FLASH数据进行比较发现写入FLASH数据正常，就是无法跳转到APP2，
APP2是APP1的复制版，偏移设置过了
BootLoader跳转代码和FALSH读写函数参考的原子程序
单片机为STM32F103VCT6,,存储空间256k

那位大神帮分析一下

loong122

APP2向量表偏移设置  SCB->VTOR = 0x8000000| 0x22000; /* Vector Table Relocation in Internal FLASH. */

bin133

帮顶  

ylsing

串口升级有时候收发的数据不一定准确，前段时间搞得，波特率为9600死活不行，波特率设为115200后可以了，但是有时候（低概率）收到的数据还是会少

candylife9

https://www.yuanzige.com/course/detail/80114，可以看下这个IAP教程，原理都差不多，你都设置了向量表偏移了，可能是有某个细节的地方没注意到吧。

loong122

把两个APP程序和BootLoader程序合并成一个.HEX文件，然后通过烧录工具下载程序，从BootLoader直接跳转APP2也是没有问题的，但在进行过串口升级后就无法执行了，，通过仿真BootLoader程序跳转程序也是执行到了最后一步，，现在感觉是不是升级时写FLASH数据出现问题了，跳转函数和写FLASH函数
iapfun jump2app;
u16 iapbuf[1024];   
//appxaddr:应用程序的起始地址
//appbuf:应用程序CODE.
//appsize:应用程序大小(字节).
u8 iap_write_appbin(u32 appxaddr,u8 *appbuf,u32 appsize)
{
        u16 t;
        u16 i=0;
        u16 temp;
        u32 fwaddr=appxaddr;//当前写入的地址
        u8 *dfu=appbuf;
        for(t=0;t<appsize;t+=2)
        {                                                    
                temp=(u16)dfu[1]<<8;
                temp+=(u16)dfu[0];          
                dfu+=2;//偏移2个字节
                iapbuf[i++]=temp;            
                if(i==1024)
                {
                        i=0;
                        STMFLASH_Write(fwaddr,iapbuf,1024);       
                        fwaddr+=2048;//偏移2048  16=2*8.所以要乘以2.
                }
        }
        if(i)STMFLASH_Write(fwaddr,iapbuf,i);//将最后的一些内容字节写进去.
        return 0xff;
}

//跳转到应用程序段
//appxaddr:用户代码起始地址.
void iap_load_app(u32 appxaddr)
{
        if(((*(vu32*)appxaddr)&0x2FFE0000)==0x20000000)        //检查栈顶地址是否合法.
        {
                jump2app=(iapfun)*(vu32*)(appxaddr+4);                //用户代码区第二个字为程序开始地址(复位地址)               
                MSR_MSP(*(vu32*)appxaddr);                                        //初始化APP堆栈指针(用户代码区的第一个字用于存放栈顶地址)
                jump2app();                                                                        //跳转到APP.
        }
}

loong122

这是原子STMFLASH的C文件
//读取指定地址的半字(16位数据)
//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
//返回值:对应数据.
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
        return *(vu16*)faddr;
}
#if STM32_FLASH_WREN        //如果使能了写   
//不检查的写入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数   
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{                                           
        u16 i;
        for(i=0;i<NumToWrite;i++)
        {
                FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
            WriteAddr+=2;//地址增加2.
        }  
}
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE        2048
#endif                 
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)       
{
        u32 secpos;           //扇区地址
        u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
        u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)          
        u16 i;   
        u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
        if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
        FLASH_Unlock();                                                //解锁
        offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
        secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
        secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
        secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
        if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
        while(1)
        {       
                STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
                for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
                {
                        if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除            
                }
                if(i<secremain)//需要擦除
                {
                        FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
                        for(i=0;i<secremain;i++)//复制
                        {
                                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];          
                        }
                        STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
                }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                   
                if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
                else//写入未结束
                {
                        secpos++;                                //扇区地址增1
                        secoff=0;                                //偏移位置为0          
                           pBuffer+=secremain;          //指针偏移
                        WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移          
                           NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
                        if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
                        else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
                }         
        };       
        FLASH_Lock();//上锁
}
#endif

//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)          
{
        u16 i;
        for(i=0;i<NumToRead;i++)
        {
                pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
                ReadAddr+=2;//偏移2个字节.       
        }
}

//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
//WriteAddr:起始地址
//WriteData:要写入的数据
void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData)          
{
        STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字
}

xiangzi28

你好你的问题解决定位到了吗