北极星H750/F750板子SDRAM跑120MHz频率失败

hjhj7591418

MCU: STM32H750XB
SDRAM: W9825G6KH-6

SDRAM手册信息:
tRC > 60ns
tRAS > 42ns
tRCD > 15ns
tRP > 15ns
tWR > 15ns (CL=2)
tRSC > 15ns (CL=2)
tXSR > 72ns

MCU使用HSE时钟, FMC使用PLL2R时钟240MHz:
    PeriphClkInitStruct.PeriphClockSelection  = RCC_PERIPHCLK_FMC;

    PeriphClkInitStruct.PLL2.PLL2M              = 5;
    PeriphClkInitStruct.PLL2.PLL2N              = 96;
    PeriphClkInitStruct.PLL2.PLL2R              = 2;
    PeriphClkInitStruct.PLL2.PLL2RGE          = RCC_PLL2VCIRANGE_2;
    PeriphClkInitStruct.PLL2.PLL2VCOSEL     = RCC_PLL2VCOWIDE;
    PeriphClkInitStruct.FmcClockSelection     = RCC_FMCCLKSOURCE_PLL2;
SDRAM配置:

  hsdram1.Instance                          = FMC_SDRAM_DEVICE;
  hsdram1.Init.SDBank                     = FMC_SDRAM_BANK1;
  hsdram1.Init.ColumnBitsNumber     = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9;
  hsdram1.Init.RowBitsNumber         = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13;
  hsdram1.Init.MemoryDataWidth     = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;
  hsdram1.Init.InternalBankNumber  = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;
  hsdram1.Init.CASLatency               = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_2;
  hsdram1.Init.WriteProtection          = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;
  hsdram1.Init.SDClockPeriod            = FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2;
  hsdram1.Init.ReadBurst                 = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;
  hsdram1.Init.ReadPipeDelay           = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_0;
  SdramTiming.LoadToActiveDelay     = 2;
  SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay  = 8;
  SdramTiming.SelfRefreshTime        = 6;
  SdramTiming.RowCycleDelay         = 8;
  SdramTiming.WriteRecoveryTime   = 4;
  SdramTiming.RPDelay                   = 3;
  SdramTiming.RCDDelay                 = 3;

刷新计数 -> 600


IO都用了VeryHighSpeed了,补偿也打开.
在原子例程中100MHz是数据稳定的, 改为上述120MHz后数据会出现错乱, SDRAM芯片给得参数是133MHz上限.

问题出在哪了??

hjhj7591418

自己解决了

20161001

什么情况