H743 NANDFlash 硬件ECC使用的什么算法？

yanglx

H743手册中描述ECC基于BCH8编码算法，正点原子开发指南中说是Hamming码，到底是哪个？还是说一回事？
我使用Hamming码进行软件编码得到的结果与硬件ECC得到的结果并不一致，BCH8编码不知道怎么实现。
另外根据我网上找到的资料，BCH编码一般用于多bit纠错，但H743确实是1bit纠错，困惑。
有了解的同学话麻烦解答下，或者能提供BCH(1bit纠错)的算法我去验证一下，感谢！

正点原子

这个没研究，不过建议你直接用就好了，写和读都用同一个硬件，就没问题了。

yanglx

又研究了下，是我自己搞错了，结果是一致的，只是校验结果位排列不同。

PS：分享一下自己了解到的一些内容
同样的ECC校验有不同的实现方法或者说理解角度，校验结果也有各种排列方式，刚开始研究可能会造成困惑。介绍一下我遇到的3种实现：

• ECC校验原理 这篇文章介绍的比较详细，分行校验与列校验（网上大多介绍文章都分行列），每1个字节为一行，共有8列，且预计算0~255每个值的行列极性以优化计算时间，文中ECC结果排列为行校验在低位列校验在高位
• 正点原子开发指南中的介绍是把所有数据直接排一行，按只有行校验计算ECC，最终ECC结果低位即相当于上面的列校验，高位相当于上面的行校验，H743硬件ECC结果与此相同
• LevelX中的ECC计算是每2个字节为一行，共有16列，没有使用预计算极性表加速(不过16bit的表也太大了），结果排列与H743硬件同，只是整体偏移了2位
  

关于ECC纠错，本质都一样，但实现也有不同的方式（正点原子、LevelX以及我下面介绍的方法各不相同，但本质都是上面链接文章最后提到的判决过程），介绍一下我认为比较好的一种方式

• 前提是ECC使用上面介绍的正点原子/H743硬件ECC方式排列
• 新旧ECC相等的话说明没有错误，否则二者进行异或，注意ECC有效bit数为2log2(数据总bit数），例如256byte为2log2(256*8)=22bit、512byte为24bit
• 异或结果的bit0~1、bit2~3...以此类推全是01b或10b的话说明有1个bit翻转，异或结果奇数bit组成的数即为翻转bit的总索引
• 其他情况则表示无法纠正的错误