TFTLCD相关问题

刀剑如梦 · 发表于 2014-5-5 20:50:43

在STM32开发指南第十八章中，讲述到把LCD存储器当成SRAM来用，在访问方式中提到用异步模式A，请问原子哥为什么用模式A而不选用模式1？如果选用模式1的话会有问题吗？这是第一点我要问的！
第二点就是设置读和写的地址建立时间和数据保存时间，请问这些个时间的设置依据在哪？在哪里可以查到？附上原子哥关于FSMC寄存器初始化的代码！
望原子哥和其他知道这个答案的高手不吝赐教，谢谢！

正点原子 · 发表于 2014-5-5 20:50:44

1，模式1，和模式A的区别是什么？请仔细找资料后给我答案。STM32参考手册都有讲，别说你找不到。
2，LCD读写时序，在控制器的数据手册，都有写（一般在最后，AC特性部分），然后你结合这个时序，对比模式A的操作时序图，就知道时间是怎么设置了。

正点原子 · 发表于 2014-5-5 20:50:44

回复【3楼】刀剑如梦:
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必须使用OE翻转,所以用模式A.
你可以自己修改下用模式1,试试能不能驱动.

回复【5楼】刀剑如梦:
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这是一个芯片,我们代码兼容多少个芯片?你是否都看了这些芯片的时序表?
建议你看看SSD1289的数据手册,就知道什么叫慢了....
另外,STM32F1,撑死也就5M左右的WR频率,速度上不去.
用F4那速度就飞快了,刷320*240的屏,每秒290帧,刷800*480的屏,每秒58帧....
哇卡卡....
当然,这也需要LCD驱动器速度快,比如1289之流,STM32F4的FSMC是不能驱动的,因为速度太慢了.

刀剑如梦 · 发表于 2014-5-6 12:48:37

关于第一点：参考手册上论述是：模式A与模式1的区别是NOE的变化和相互独立的读写时序，这个我仔细看了下就是模式A在读的第一阶段NOE是保持高电平的，在第二阶段是低电平；而模式1则是读的两个阶段NOE都是低电平，而模式A与模式1在写的时候NWE都是在第一阶段保持高电平，在第二阶段保持低电平；换句话说在模式A中，读/写第一阶段中，NOE/NWE保持高电平，在第二阶段都保持低电平。从时序图来看，NWE和NOE是差不多的。而在模式1中，NOE要比NWE保持低电平的时间要长，这个最明显的区别。我又看了ILI9320的技术手册，在最后讲到AC特性时，有一张时序图，NWE与NOE基本保持一致，所以选择模式A。不知道我这样的回答对不对，原子哥？

shibusha · 发表于 2014-5-6 12:53:52

关注一下，还有现在论坛怎么开始限制字数了。

刀剑如梦 · 发表于 2014-5-6 13:01:09

关于第二点，时间设置的依据可根据这张表格来设置，读的时候各是150ns，写的时候各是50ns，照理来说设置时间时两个阶段的时间应该设置是一样的，但是开发指南中描述由于CS切换延时的存在，第二阶段的时间都是比较短的，我的疑问是为什么读的时候差了14个HCLK周期，而写的时候只差了3个HCLK周期，难道读和写的CS切换延时不一样？另外这个CS切换延时的时间可以在这张表格上知道吗？