非易失性Flash存储器的详解

宇芯电子

Flash(快闪或闪存)由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器，其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片工艺上分为Nor Flash和Nand Flash两大类。

Nor Flash
Nor Flash的特点是芯片内执行(XIP )，应用程序可以直接在内存Flash内运行，不必再把代码读到系统RAM中。Nor Flash的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益。

Nand Flash
Nand Flash的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比较复杂。

非易失性存储器–Nor Flash
Nor Flash根据数据传输的位数可以分为并行和串行，并行Nor Flash每次传输多个bit位的数据;而串行Nor Flash每次传输一个bit位的数据。并行Nor Flash比串行Nor Flash具有更快的传输速度。

串行Nor Flash
主要接口有SPI、Dual SPl、Quad SPI模式。

并行Nor Flash
主要接口有8位、16位、8位/16位可选的数据传输方式。

非易失性存储器-Nor Flash特点
特点:Nor Flash是非易失存储,一般用于程序代码存储
主推容量256Kb-512Mb
串行:MCU带SPI口、IO口比较少、成本低、体积小、速度不高,应用十分广泛。
并行:MCU需带外部总线,速度快,内部无FLASH等
用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端平台上

非易失性存储器-Nand Flash特点
特点:容量大，写速度快等优点适用于大数据的存储
主推容量512Mb-8Gb
并行:MUC带外部存储控制器、数据量大、速度快
用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端MCU上;跑WinCE/Linux/Android等操作系统
串行:MCU带SPI口、IO口比较少、成本低、体积小

Flash的应用

Nor Flash与Nand Flash的区别
NOR
1.读速度快，写速度慢
2擦除速度慢
3.擦除次数约10万次
4.容量小256Kb-512Mb
5.单位容量价格高，适用于小容量程序存储
6.不易产生坏块
NAND
1.读速度慢，写速度快
2.擦除速度快（( 1000:1)
3.擦除次数约100万次
4.容量大512Mb-8Gb
5.单位容量价格低，适用于大容量数据存储
6.较易产生坏块，需ECC校验

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Nand Flash的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比较复杂。

宇芯电子

Nor Flash与Nand Flash的区别
NOR
1.读速度快，写速度慢
2擦除速度慢
3.擦除次数约10万次
4.容量小256Kb-512Mb
5.单位容量价格高，适用于小容量程序存储
6.不易产生坏块
NAND
1.读速度慢，写速度快
2.擦除速度快（( 1000:1)
3.擦除次数约100万次
4.容量大512Mb-8Gb
5.单位容量价格低，适用于大容量数据存储
6.较易产生坏块，需ECC校验