如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低

宇芯电子

采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢?举例说明:TI做了一个实验，如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间，大约要用2200uA的功耗去做写的功能，但如果用FRAM来做只要10ms、9uA就可以把数据写完。通过比较可以看到，如果要写很多数据到Flash等传统存储器里，FRAM速度会更快而所需功耗却最低。

从擦写数据次数来看，一般存储器写一万来次就到了极限，可FRAM可以在写了10次方后仍可继续进行擦写操作。由于FRAM速度和SDRAM写的速度差不多相同，在整个MCU架构里，TI做了整体化的类选，就是说放16个FRAM在1个MCU里，这时候FRAM可以当SDRAM使用，也可以充当Flash以及EEPROM去使用,这样整体存储器用起来效率更高，使用更方便，这是一个全新的MCU存储技术。

在应用层上FRAM适用于什么地方呢?应用在传感器上FRAM的优势可明显体现出来，FRAM可快速将传感器得到的数据记录下来，如果用Flash来做就会数据写的时间很长，传感器数据读完后再写，反复间断性读写动作使每个数据点都是分开的，无法做到数据读写的连续性。在射频的应用上，Flash因速度的限制会使功耗上升的很高。如果用FRAM读取与传输都是在同步高速进行，节省时间的同时也让功耗大幅降低。

如在传感器数据记录上，其它存储介质由于功耗的原因而对传感器的安放地点要有所限制，增加了维护成本。而采用FRAM的MCU通过能量收集技术，使得能在更多的位置安放更多的传感器。

由于目前MCU存储介质大都采用Flash，所以FRAM针对内存Flash的优势自然被TI视为第一比较对象。如有限的数据更新/写入速度与连续且可靠的监视、存储和RF传输;选择性监视与连续监视;消耗长达1个月的电池寿命与耗用不到6小时的电池寿命:数据块级擦除及编程与位级存取;需要冗余(镜像）存储块与可在电源丢失的情况下保证写入操作等。

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从擦写数据次数来看，一般存储器写一万来次就到了极限，可FRAM可以在写了10次方后仍可继续进行擦写操作。

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由于FRAM速度和SDRAM写的速度差不多相同，在整个MCU架构里，TI做了整体化的类选，就是说放16个FRAM在1个MCU里，这时候FRAM可以当SDRAM使用，也可以充当Flash以及EEPROM去使用,这样整体存储器用起来效率更高，使用更方便，这是一个全新的MCU存储技术。