自旋传递扭矩STT-MRAM通用存储器

宇芯电子

自旋传递扭矩RAM（STT-MRAM）它结合了非易失性，出色的可扩展性和耐用性以及较低的功耗和快速的读写功能。

自旋传递转矩（STT）写入是一种通过对齐流过磁性隧道结（MTJ）元件的电子的自旋方向来极化电流的技术。通过使用自旋极化电流来改变磁取向来执行数据写入MTJelement中信息存储层的位置。MTJ元件的合成电阻差用于信息读取。

STT-MRAM是一种适用于未来使用超精细工艺生产的MRAM的技术，可以有效地嵌入到随后的诸如FPGA和微处理器，微控制器和片上系统（SoC）之类的半导体器件中。对于嵌入式设计人员而言，特别的好处是，STT-MRAM所需的内部电压仅为1.2V。

它可以使用单个1.5伏电池工作，而DRAM和闪存则需要电荷泵来提供更高的电压。现有的Nand Flash技术要求内部电压升至10至12伏才能进行写操作。该电压借助电荷泵来提高，这需要相当大的功率，并且给嵌入式设计人员带来了不利的设计条件。

STT-MRAM技术为嵌入式设计人员带来的另一个主要好处是，由于其有效的自旋转移扭矩技术，在90nm节点处的写入电流低至100至200微安量级。在45纳米及以上的半导体节点上，写入电流继续显着降低至100微安以下。这种较低的电流转换为更密集且更便宜的存储器。

Everspin公司在磁存储器的设计制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是翘楚。Everspin拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。everspin代理宇芯电子支持提供相关产品技术支持。  

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自旋传递转矩（STT）写入是一种通过对齐流过磁性隧道结（MTJ）元件的电子的自旋方向来极化电流的技术。通过使用自旋极化电流来改变磁取向来执行数据写入MTJelement中信息存储层的位置。MTJ元件的合成电阻差用于信息读取。

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STT-MRAM是一种适用于未来使用超精细工艺生产的MRAM的技术，可以有效地嵌入到随后的诸如FPGA和微处理器，微控制器和片上系统（SoC）之类的半导体器件中。对于嵌入式设计人员而言，特别的好处是，STT-MRAM所需的内部电压仅为1.2V。

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自旋传递扭矩RAM（STT-MRAM）它结合了非易失性，出色的可扩展性和耐用性以及较低的功耗和快速的读写功能。