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IAR_stm8l151c8,block擦除与block写入不成功

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发表于 2020-9-10 12:53:41 | 显示全部楼层 |阅读模式


编译器:IAR
芯片:stm8l151c8t6   64K的FLASH
目的:使用Block擦除和写入数据
严格按照以下步骤操作:



结果编译时出现错误:Error[Lc036]: no block or place matches the pattern "ro code section FLASH_CODE in stm8l15x_flash.o"


根据错误在place in NearData 中添加了  ro section FLASH_CODE,

编译时有警告:
Warning[Lp005]: placement includes a mix of sections with content (example "ro code section FLASH_CODE in stm8l15x_flash.o") and sections without content (example "rw data section .near.data in Flash.o")

Warning[Lp006]: placement includes a mix of writable sections (example "rw data section .near.data in Flash.o") and non-writable sections (example "ro code section FLASH_CODE in stm8l15x_flash.o")



测试程序时,程序卡死,RAM汇编指令:


怎么测试都通过不了Block擦除与读写。
请教各位大神,我是哪里操作不对吗?我哪里设置不对呢?
谢谢了,各位大神!!!

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