MRAM与常用计算机内存的性能比较

宇芯电子

新千年信息怎样储存?又需要如何传输?MRAM芯片是磁阻随机存取存储器。1989年巨磁阻现像的发现及随后几年巨磁阻材料的开发,直至巨磁阻磁头GMR的制成与应用都为MRAM存储器研究开发奠定了基础。

1995年IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及产品目标要求如下:

技术指标:
具有sram芯片的随机存取速率;
具有DRAM芯片的大容量存储密度;
具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。

产品目标:
取代计算机的DRAM内存，
取代手机的EEPROM闪存。

表1列出MRAM芯片与目前常用的几种计算机内存SRAM、DRAM及闪存的性能比较。

表1SRAM、DRAM、EEPROM 及 MRAM的性能比较

由上述表中的四种内存只有MRAM能同时满足计算机内存的四项要求:非易失性、随机存取速率高、数据存储密度高以及耗电功率低等。因此美、日、欧等发达国家都很重视这项新技术,投巨资加速MRAM产品的商业化。

宇芯电子

四种内存只有MRAM能同时满足计算机内存的四项要求:非易失性、随机存取速率高、数据存储密度高以及耗电功率低等。