分享一款MR10Q010-1Mb四路输出高速串行SPI MRAM

宇芯电子

1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。Everspin Technologies的具有Quad SPI接口的MR10Q010提供高达104MHz的时钟速度和52MB/s的读/写带宽。MRAM专为需要对数据进行高频写入的应用而设计，可提供与并行I/O MRAM相当的读取/写入带宽。它还允许就地执行（XIP）操作。Everspin代理商宇芯电子可提供技术支持及产品应用解决方案等产品服务。

Everspin MRAM这款高性能设备可以以104MHz的速度读取和写入数据，而不会在其他非易失性技术（例如NOR Flash）中遇到写入延迟。结合无限的写周期耐久性，MR10Q010非常适合需要连续记录关键系统数据的应用，并具有在意外断电的情况下保护数据的额外好处，而无需使用电池或电容器。诸如企业RAID控制器之类的应用程序可以利用这些功能，通过将MR10Q010用作记录不断更新的系统元数据的日志存储器，来增强关键任务数据存储系统的可靠性。

此外该存储器具有用于Quad SPI操作的完整命令集，包括读写操作，其中在所有四个I/O上输入地址和数据以减少时钟周期。该器件采用16引脚SOIC封装，可通过并行接口节省20引脚，并支持低电压电平，并具有用于I/O的单独VDDQ。

其他功能包括：
•数据保留超过20年
•自动断电数据保护
•无限的写续航力
•7.5mmx10.3mm机身尺寸
•引脚与NOR Flash Quad SPI产品兼容

MR10Q010 Quad SPI MRAM是理想的存储解决方案，适用于必须使用少量引脚，低功耗和节省空间的16引脚SOIC封装快速存储和检索数据和程序的应用。Quad SPI模式下的四个I / O允许每秒52MB的非常快的读写速度，使其比8位并口mram更快。这对于下一代RAID控制器，服务器系统日志，存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序存储器非常有用。

MR10Q010.pdf (2.61 MB, 下载次数: 2)

2020-8-7 16:42 上传

点击文件名下载附件

宇芯电子

1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。Everspin Technologies的具有Quad SPI接口的MR10Q010提供高达104MHz的时钟速度和52MB/s的读/写带宽。

宇芯电子

此外该存储器具有用于Quad SPI操作的完整命令集，包括读写操作，其中在所有四个I/O上输入地址和数据以减少时钟周期。