星忆存储是一家专注研发存储器芯片的高科技企业,2015年成立哈尔滨星忆存储科技有限公司和深圳星忆存储科技有限公司。星忆存储董事长刘波先生发明了内存三态存储技术和免刷新XRAM存储技术,并向全球电子工业客户提供产品和技术服务。公司研发的产品和拥有的技术具有完全的自主知识产权,且已完成多项国际专利的申请及布局,研发团队在存储芯片和系统解决方案设计层面拥有超过20年的经验。并且与所有同类型SRAM产品软硬件完全兼容国产芯片,满足各种应用系统对高性能和低成本的要求。 星忆XRAM芯片分类
高速同步SRAM (7A系列) Ø 166Mhz时钟、 Ø 延迟最小10ns。 Ø 36Mb,72Mb,144Mb全地址随机读写。 高速异步接口SRAM (8A系列) Ø 12ns~15ns延迟 Ø 完全兼容传统SRAM芯片。 Ø 4Mb,8Mb,16Mb,32Mb。 SPI 串口SRAM(9A系列) Ø 从低速1Khz到高速100Mhz 时钟全频域工作。 Ø 不需要刷新, 兼容传统串口SRAM。 Ø 大容量, 2Mb~8Mb。 RLD DRAM (6A系列) Ø DDR3 接口 DRAM。 Ø 命令简单,不需要刷新。 Ø 延迟最小10ns, 1200Mbps高速带宽。 欢迎来电咨询:苏生 18688796938.
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