关于flash当作eeprom用 问题

Simon

原子哥的flash当作eeprom用例程中，擦除之后，为什么要复制，并且要从扇区首地址进行写入
while(1)
{
      STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
      for(i=0;i<secremain;i++) //校验数据
           {
                 if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除     
            }
      if(i<secremain)    //需要擦除
         {
                     STMFLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
          for(i=0;i<secremain;i++)//复制
         {
                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;   
         }
      STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
/*****************************************************
个人觉得上面需要擦除里面是不是可以这样写？ 请高手指点，谢谢！！！

      if(i<secremain)    //需要擦除

         {

                     STMFLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区

                     STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);/写入整个扇区  

        }

***********************************************************/
  }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.        
  if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
  else//写入未结束
  {
   secpos++;    //扇区地址增1
   secoff=0;    //偏移位置为0   
      pBuffer+=secremain;   //指针偏移
   WriteAddr+=secremain*2; //写地址偏移(16位数据地址,需要*2)   
      NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
   if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
   else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
  }  
};

叶子君

Simon 发表于 2020-7-8 10:57
这是原子哥的原代码，原子哥的代码是如果指定的地址上检测到有数据的话，那么需要擦除这整个扇区，然后把 ...

这样说吧，因为你操作的是secoff到secoff+secremain下标的数据。然后你检查这里面有数据不是0XFFFF了，那这样是不是需要擦除后才写入，但是擦除是整个扇区的，所以你需要将不是你操作的 0到secoff下标数据存起来，因为你也不知道0到secoff有没有存数据，就算是没存，也不影响你写secoff到secoff+secremain的数据。之后写入的话，0到secoff的数据就会恢复原状。若是你的代码，会直接将0到secoff的数据重置到0xFFFF,这是不符合代码原初衷的。举个例子：比如地址1- 5存了数据1 ，2 ，3，4，5。然后函数传参说要修改地址6的数据，检查6已改写了，这时候需要全区擦除。先把1 - 5的数据保存起来，然后 将6改为新数据。在重新写入。若是你的代码，1-5的数据全都擦除了，但你只是传参告诉改地址6而已。

叶子君

你这样擦除了，那之前存在的数据是不是都没有了呢？

Simon

叶子君 发表于 2020-7-8 10:27
你这样擦除了，那之前存在的数据是不是都没有了呢？

这是原子哥的原代码，原子哥的代码是如果指定的地址上检测到有数据的话，那么需要擦除这整个扇区，然后把数据复制到另一个数组里面，从这个扇区的首地址重新写入，我看之前的原代码，从首地址写入的话stmflash_buf[0]~stmflash[secoff]这些数据感觉都是空的，从secoff到secremain才是复制过来的数据 写入，不明白这样操作的目地是什么

Simon

:lo别沉了啊

Simon

叶子君 发表于 2020-7-8 16:45
这样说吧，因为你操作的是secoff到secoff+secremain下标的数据。然后你检查这里面有数据不是 ...

谢谢，明白了，没有注意到前面他是先把整片扇区的数据先读出来了的。
还有个小小的问题，像这种擦除方式，对flash的寿命来讲 应该不是最优的吧

无痕幽雨

加上均衡算法

Simon

无痕幽雨 发表于 2020-7-9 07:55
加上均衡算法

你好，如果要达到增加flash寿命的效果，是不是要用他官方的例程，page0,page1交换擦写的方式？

无痕幽雨

Simon 发表于 2020-7-9 20:12
你好，如果要达到增加flash寿命的效果，是不是要用他官方的例程，page0,page1交换擦写的方式？

对，乒乓算法是最简单的！

Simon

无痕幽雨 发表于 2020-7-9 22:14
对，乒乓算法是最简单的！

你好，对官方给出的那种思路我有几点疑问：
1：当page0 全部擦除之后，再往里面写的时候，page0里面还会存在无效数据吗？
2：当flash的扇区为1K时，按官方例程，只能存256个数据是吗？（4个字节 为一块， 一块的前两个字节存数据，后两个字节就是存他的虚拟地址）