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STM32F103和W25Q64(8M)如何存储大量数据?

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发表于 2020-7-3 22:10:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
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利用STM32存储大量数据至W25Q64,如何实现Flash的跨扇区存储?直接一页一页的页编程就可以了吗?

最佳答案

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可以一页一页的写,最小写单位是页,但是如果你修改内存中的值需要擦除,擦除最小单位是扇区4K,也就是你在擦除好的情况下可以一页一页的写,但是,你需要修改扇区内的数据,你先要把扇区类的数据读出备份,修改备份中的内容再写回去,擦除是个很慢的动作。比如你要写4M数据,你可以先把需要写的扇区或块进行擦除(擦除多个连续的扇区,有是一个块的用块擦除更快),然后只执行写操作,不用擦除,这时按页写完全没问题。
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发表于 2020-7-3 22:10:16 | 显示全部楼层
可以一页一页的写,最小写单位是页,但是如果你修改内存中的值需要擦除,擦除最小单位是扇区4K,也就是你在擦除好的情况下可以一页一页的写,但是,你需要修改扇区内的数据,你先要把扇区类的数据读出备份,修改备份中的内容再写回去,擦除是个很慢的动作。比如你要写4M数据,你可以先把需要写的扇区或块进行擦除(擦除多个连续的扇区,有是一个块的用块擦除更快),然后只执行写操作,不用擦除,这时按页写完全没问题。
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Deven001 发表于 2020-7-4 14:33
可以一页一页的写,最小写单位是页,但是如果你修改内存中的值需要擦除,擦除最小单位是扇区4K,也就是你在 ...

最小写单位其实是1字节
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发表于 2020-7-6 09:12:13 | 显示全部楼层
最小写入单位其实是1字节
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 楼主| 发表于 2020-7-11 09:44:41 | 显示全部楼层
谢谢,我想问一下,如果将哈希表应用在flash数据存储中可以吗?
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