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NMOS做低端开关,大电流被击穿

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发表于 2020-6-22 10:13:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
最近使用Nmos做了一个简单的IO控制,用12V电压控制一个15V的电源开启关闭;测试时输入电源为直流电源;输出接一个升压板,升至24V输出接电子负载;测试时输出端电流在5A一下时可以正常控制通断(测试10次),大于5A后,通电状态下切断12Vio控制电源,MOS管被击穿,失控 微信图片_20200622101035.png
正点原子逻辑分析仪DL16劲爆上市
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发表于 2020-6-22 11:22:40 | 显示全部楼层
本帖最后由 LcwSwust 于 2020-6-22 14:36 编辑

估计容性负载冲击电流大,建议 OUT- 串电感且注意加续流二极管。
也可以考虑一下NTC10D-20这类器件,开关电源中常用。
专治疑难杂症
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发表于 2020-6-22 17:29:13 | 显示全部楼层
个人只知在皮毛,几个建议
1、计算功率MOS的最大耗散功率,增大撒热片;
2、做好G极保护,适当电容和限压二极管;
3、在GS回路增加限流措施,不超过管子最大许可电流为宜。
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发表于 2020-6-23 09:42:52 | 显示全部楼层
不明白你的电路是在干啥
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发表于 2020-6-23 15:37:49 | 显示全部楼层
MOS的栅极各串一个电阻10欧,你这样造成两个管子开启关断时间不一致;另外最好增加下驱动能力,这种低压管子结电容比较大,导通关断不利索容易坏的,建议换成图腾柱;后边容性负载大加预充。
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 楼主| 发表于 2020-6-29 15:42:02 | 显示全部楼层
习见冬天 发表于 2020-6-23 15:37
MOS的栅极各串一个电阻10欧,你这样造成两个管子开启关断时间不一致;另外最好增加下驱动能力,这种低压管 ...

像我出现的这种情况,一上电,就失控,是因为容性负载过大导致的瞬间电流过大mos被击穿吗?为什么我直流电源5A一下可以
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 楼主| 发表于 2020-6-30 14:09:22 | 显示全部楼层
LcwSwust 发表于 2020-6-22 11:22
估计容性负载冲击电流大,建议 OUT- 串电感且注意加续流二极管。
也可以考虑一下NTC10D-20这类器件,开关 ...

像我出现的这种情况,一上电,就失控,是因为容性负载过大导致的瞬间电流过大mos被击穿吗?为什么我直流电源5A一下可以?加续流二极管后依然不行
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发表于 2020-6-30 14:21:15 | 显示全部楼层
jasonyu 发表于 2020-6-30 14:09
像我出现的这种情况,一上电,就失控,是因为容性负载过大导致的瞬间电流过大mos被击穿吗?为什么我直流 ...

对,直流电源一般有限流的,短路都不怕。
加电感试过了?
加NTC试试,或串个电阻。
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发表于 2020-7-13 09:31:43 | 显示全部楼层
本帖最后由 翼间 于 2020-7-13 09:36 编辑

两个可能:第一,你的负载是感性负载,电流大的时候切断产生反向脉冲尖峰过高导致击穿,在负载两端并联一个续流二极管试一下。
第二,你这个驱动电路本身是有问题的,12VIO这个信号的电流输出能力暂时不知道,但你在中间串接K级电阻,那驱动电流充其量就是毫安级别,驱动MOS管,尤其是大电流开关MOS管,不能以此电路驱动。因为栅极本身有寄生电容,所以不管是开还是关,驱动电流应该尽量大(当然也要考虑驱动芯片或者图腾柱管子的输出能力避免烧驱动电路,需要稍微加电阻限流),使栅极的电压迅速上升到完全开通电压或者快速下降到关断电压,使MOS管工作在放大区的时间尽可能短,因为MOS管在放大区的电阻高(相对于完全开通,可能几十倍上百倍,但在整个电路里还是小电阻),但又没有到关断时的极高电阻,通过的电流又很大,P=I2R,大电流的平方乘以大电阻当然等于大功率,MOS管当然烧穿。一般来说,用于驱动大电流开关MOS的输出电流要在安培级别,你这个电路充其量在毫安级别,等于工作在放大区的时间是正常的千倍以上,功率还高,产生的热量都不止千倍了。
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