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问个内部flash相关的问题,写和擦除

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发表于 2020-6-11 09:28:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
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我现在用的是STM32L031系列的芯片,现在想用最后1k的flash里面去存一个数据,就是一个普通的32位计数的数据,我的想法是每一次数据先写在第一个地址上,然后不断的地址+4去进行存下一个数据,然后等这1k全都存完后再进行整页的擦除再重新存过,但是这就有个问题的,我的原本的想法是尽可能的少一直对着同一个地址进行操作,但是flash不是每写一次就会进行一次擦除的吗?那我这样不断地擦除flash可以吗?或者说有没有可能单单擦除一个地址?

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不是写一次就要擦除, 你一次只写4个字节, 第一次擦除一次, 然后可以写1000次,假设flash扇区大小是4096字节的话。
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发表于 2020-6-11 09:28:43 | 显示全部楼层
不是写一次就要擦除, 你一次只写4个字节, 第一次擦除一次, 然后可以写1000次,假设flash扇区大小是4096字节的话。
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 楼主| 发表于 2020-6-11 11:42:51 | 显示全部楼层
还有个问题,我擦除了这一页后,随便读一个地址然后值是全0的,不应该是0xFF的吗
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