【求助原子哥】关于FSMC的读周期以及BUSTURN

BZXbzx1997

想问下原子哥，一个FSMC读周期内是否就完成了MCU对外部SRAM的一个数据的读取与存储，比如下面这个FSMC的异步模式A的读时序图

FSMC对SRAM读取编程如下：
FSMC_SRAM_ReadBuffer(u16*pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)

for(;n!=0;n--)
{
*pBuffer=*(vu16)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
ReadAddr+2;
pBuffer++；
}
是否在一个存储器事务周期的时间内（ADDSET+DATAST）就完成了一次MCU对SRAM一个16位数据的读取，存到了*pBuffer？
还是说ADDSET+DATAST的时间仅仅是使SRAM的数据稳定出现了在了数据总线上，之后还需要额外时间让MCU对该数据进行读取存储？
因为有人说OE拉高之后MCU才对数据做读取，而模式A是一个地址建立时间+数据建立时间结束了，OE才拉高，是否代表在一个地址建立时间+数据建立时间结束了之后，MCU才对数据做读取并存储呢，就像这种外部SRAM的读时序图



第二个问题就是FSMC的BUSTURN到底是干什么用的

子曰就这样

默默的顶一下...

正点原子

一个OE周期， 就可以读取一个数据，  你这么理解就对了。 BUSTURN是突发长度 吧？看下手册说明。

BZXbzx1997

正点原子 发表于 2020-5-25 01:00
一个OE周期， 就可以读取一个数据，  你这么理解就对了。 BUSTURN是突发长度 吧？看下手册说明。

这个图是FSMC的异步访问模式A的读操作时序图，是不是我在ADDSET+DATAST个HCLK时间内就可以完成一次MCU对外部SRAM数据的读取存储，我这么理解对吗，原子哥？因为这个图OE是直到结尾才被拉高，和一般的SRAM芯片的读操作时序图有点出入

BZXbzx1997

正点原子 发表于 2020-5-25 01:00
一个OE周期， 就可以读取一个数据，  你这么理解就对了。 BUSTURN是突发长度 吧？看下手册说明。

这个图是FSMC的异步访问模式A读取外部SRAM的时序图，是否说明在ADDSET+DATAST个HCLK时间内就可以完成一次MCU对外部SRAM数据的读取存储，我这么理解对吗，原子哥？因为这个图是在结尾才把OE拉高，和一般SRAM芯片的读时序图还是有一些出入的

BZXbzx1997

正点原子 发表于 2020-5-25 01:00
一个OE周期， 就可以读取一个数据，  你这么理解就对了。 BUSTURN是突发长度 吧？看下手册说明。

那对于FSMC的异步访问模式A的读时序，是否就是在ADDSET+DATAST个HCLK时间内就完成了MCU对外部SRAM一个数据的读取存储呢？我这么理解对吗，原子哥

正点原子

BZXbzx1997 发表于 2020-5-25 01:33
这个图是FSMC的异步访问模式A的读操作时序图，是不是我在ADDSET+DATAST个HCLK时间内就可以完成一次MCU ...

STM32 F103的FMSC本身性能就垃圾的不要不要的。
纠结这么多干什么？他这些都不准确的， 实际上时间比你设置长的多。
OE最高频率， 也就能到10M左右。顶天了， 你想知道具体时间， 看波形最好。
反正一个OE就是存储一次数据

BZXbzx1997

正点原子 发表于 2020-5-26 01:34
STM32 F103的FMSC本身性能就垃圾的不要不要的。
纠结这么多干什么？他这些都不准确的， 实际上时间比你 ...

好的谢谢原子哥