STM32F103RB内部FLASH可以存数据吗？

blatand

大家好，我用的是旺宝的MINI板。这个板子不带外部的FLASH，而我查看了103RB的数据手册看到内部的FLASH是程序型FLASH。
请问我可以在程序中直接往内部FLASH存储数据，断电后再上电读取之前保存的数据??

正点原子

回复【楼主位】blatand:
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可以

blatand

回复【2楼】正点原子:
回复【楼主位】blatand: --------------------------------- 可以
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3Q...我试试.

471181730

回复【2楼】正点原子:
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请问原子哥，这个Flash地址的设定问题，比如，stm32f103rbt6,  128kb 容量，flash基地址是0x0800,0000.一段程序，Program Size: Code=19832 RO-data=2968 RW-data=60 ZI-data=1700  那么想用内部flash存数据，FlashAdds = *(vu16*)adds,其中adds = (0x08000000 + (19832/1024+1)*1024)?

471181730

回复【2楼】正点原子:
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#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else 
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
#endif  
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
这几句的意思，如果移到RBT6上呢？

dixdsqaid

STM32有分1K一页，2K一页各种不同的版本，具体在规格书可以看到它是一页多少K的。FLASH的地址是在0x08000000随便设置随便写入的，只是它没有EEPROM，必须自己做到心中有数，放的地方APP不能介入。

blatand

回复【6楼】dixdsqaid:
STM32有分1K一页，2K一页各种不同的版本，具体在规格书可以看到它是一页多少K的。FLASH的地址是在0x08000000随便设置随便写入的，只是它没有EEPROM，必须自己做到心中有数，放的地方APP不能介入。
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写内部FLASH的时候IO口要怎么配置，F_CS,SPI_NSS SPI_MOSI SPI_MISO SPI_SCK使能就可以了？？和读外部的flash的程序比较需要修改哪些部分。？？

dixdsqaid

回复【7楼】blatand:
---------------------------------差别很大，库有函数。

FLASH_Unlock();
FLASH_ErasePage(0x0800EFF0);
FLASH_ProgramHalfWord(0x0800EFFC,0x0000);
类似这样的调用，就是解锁，擦除，写入。不需要通信的。

blatand

回复【8楼】dixdsqaid:
回复【7楼】blatand: ---------------------------------差别很大，库有函数。 FLASH_Unlock(); FLASH_ErasePage(0x0800EFF0); FLASH_ProgramHalfWord(0x0800EFFC,0x0000); 类似这样的调用，就是解锁，擦除，写入。不需要通信的。
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我昨晚把程序移植到原子的MINI板子（103RB），改写的程序跑的是好的。存数据开始的地址就是0x08000000，但是今天把程序移植到旺宝MINI板(103RB),当调用写入的函数时，单片机就卡住了。程序运行就不正常了。这种现象是不是说明我存数据的地址和存储程序的地址冲突了。？

正点原子

回复【9楼】blatand:
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有可能，你看一下你编译后的代码大小，以及你的写地址是多少？