F4中用FSMC驱动TFTLCD的模式选择及时序问题

ukoikk

学习用的LCD是4.3寸的TFTLCD,采用NT35510驱动,数据手册中,读写时序如下
在例程中,对FSMC的模式选择,都是用的模式A。

A-R

在模式A中，A[25:0]使用其中1个作为数据、指令选择，NBL不用，NEX片选，NOE用于RD，NWE用于WR，D[15：0]数据线。
其他模式，如模式C：
在C模式中，不用NADV，其他的时序就和模式A相同。
或者模式D：
在D模式中，不用NADV，其他的时序就和模式A相同。

问题1：是否可以用模式C和模式D取代模式A？毕竟不考虑NADV/NBL的话，那么其他的时序都是符合NT35510的8080并口时序。

问题2：如果不行，那么是不是说，即使时序相同，不同的模式也不能互相替代使用，而是有专门的运用地方？可以详细解释吗？



视频例程中,主要是以2.8寸的TFTLCD讲解,驱动是ILI9341。9341的时序图如下，

对照FSMC模式A的时序，在模式A中，是先ADDSET后DATAST，其中ADDSET周期内，NOE（用于RDX）是高电平，在DATAST周期内，NOE（用于RDX）是低电平。
而9341时序中，RD的时序是先低电平，后高电平。
问题3：模式A的NOE（用于RDX）电平，是先高后低，9341的RD是先低后高，所以模式A是怎么应用于9341的？
问题4：在视频中讲到，ADDSET的建立时间，“对 ILI9341 来说，这里相当于 RD 高电平持续时间，为 90ns”，图中有提到trdhfm和trdh都是90ns,在图中的时序图都是在右边。所以这里的问题，也可以归类到问题3中，高低电平为什么与模式A颠倒还能用？是哪个时序图错了？还是我理解错了?







我用的是4.3寸TFTLCD模块，驱动IC是NT35510，时序图如下：

问题4中提到“对 ILI9341 来说，这里相当于 RD 高电平持续时间，为 90ns”，所以对于NT35510的ADDSET的时间，也是RD的高电平时间，也就是trdh/trdhfm,图框中的ttrdh的是90ns,trdhfm的是250ns。

下面是例程中关于时间参数的设置，按视频中讲解，2.8寸的TFTLCD时序中（驱动是ILI9341），trdh/trdhfm=90ns,所以可以6*15=90ns，所以  readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0XF。

  readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0XF;         //地址建立时间（ADDSET）为16个HCLK 1/168M=6ns*16=96ns       
  readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;         //地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到       
  readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 60;                        //数据保存时间为60个HCLK        =6*60=360ns
  readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
  readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
  readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
  readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;         //模式A


问题5：在驱动IC35510中，trdh=90ns,trdhfm=250ns，1/168M=6ns，而250ns/6ns=42，远远超过了15，而  readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime 这最大存15，而这个例程也能正常点亮屏幕。为什么例程的建立时间（15）远小于时序要求（42）也能点亮屏幕？例程中也未发现第二个地方对FSMC_BTRx赋值的地方了。

求教！

Apphao2018

同问，求回答！！！！

xiaoa

帮顶

远命

我在使用f429的时候 时钟是192M 时序直接全填成了0 一样可以驱动

远命

WriteFmc_Tim.FMC_AddressSetupTime = 0;
                WriteFmc_Tim.FMC_AddressHoldTime = 0;
                WriteFmc_Tim.FMC_DataSetupTime = 1;
                WriteFmc_Tim.FMC_BusTurnAroundDuration = 0;
                WriteFmc_Tim.FMC_CLKDivision = 0;
                WriteFmc_Tim.FMC_DataLatency = 0;
                WriteFmc_Tim.FMC_AccessMode = FMC_AccessMode_A;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_Bank               = FMC_Bank1_NORSRAM2;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_DataAddressMux     = FMC_DataAddressMux_Disable;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_MemoryType         = FMC_MemoryType_SRAM;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_MemoryDataWidth    = FMC_NORSRAM_MemoryDataWidth_16b;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_BurstAccessMode    = FMC_BurstAccessMode_Disable;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_WaitSignalPolarity = FMC_WaitSignalPolarity_Low;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_WrapMode           = FMC_WrapMode_Disable;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_WaitSignalActive   = FMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_WriteOperation     = FMC_WriteOperation_Enable;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_WaitSignal         = FMC_WaitSignal_Disable;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_ExtendedMode       = FMC_ExtendedMode_Disable;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_WriteBurst         = FMC_WriteBurst_Disable;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_ReadWriteTimingStruct = &WriteFmc_Tim;
                FMC_NORSRAMInitStructure.FMC_WriteTimingStruct     = &WriteFmc_Tim;
                FMC_NORSRAMInit(&FMC_NORSRAMInitStructure);  
                FMC_NORSRAMCmd(FMC_Bank1_NORSRAM2, ENABLE);