STM32F767驱动SDRAM问题求助

76159437 · 发表于 2019-10-31 17:58:40

SDRAM配置如下
/****************************************************************************************************************************
功  能：SDRAM初始化
参  数：无
返回值：无
****************************************************************************************************************************/
void SDRAM_Init(void){
FMC_SDRAM_TimingTypeDef SDRAM_Timing;

SDRAM_Handler.Instance=FMC_SDRAM_DEVICE;                                                 //SDRAM在BANK5,6
SDRAM_Handler.Init.SDBank=FMC_SDRAM_BANK1;                                              //SDRAM接在BANK5上
SDRAM_Handler.Init.ColumnBitsNumber=FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9;                         //列数量
SDRAM_Handler.Init.RowBitsNumber=FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13;                            //行数量
SDRAM_Handler.Init.MemoryDataWidth=FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;                         //数据宽度为16位
SDRAM_Handler.Init.InternalBankNumber=FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;                      //一共4个BANK
SDRAM_Handler.Init.CASLatency=FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;                                  //CAS为3
SDRAM_Handler.Init.WriteProtection=FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;                   //失能写保护
SDRAM_Handler.Init.SDClockPeriod=FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2;                               //SDRAM时钟为HCLK/2=216M/2=108M=9.3ns
SDRAM_Handler.Init.ReadBurst=FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;                                  //使能突发
SDRAM_Handler.Init.ReadPipeDelay=FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_2;                               //读通道延时

SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay=2;                                                       //加载模式寄存器到激活时间的延迟为2个时钟周期
SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay=8;                                                    //退出自刷新延迟为8个时钟周期
SDRAM_Timing.SelfRefreshTime=6;                                                          //自刷新时间为6个时钟周期
SDRAM_Timing.RowCycleDelay=6;                                                          //行循环延迟为6个时钟周期
SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime=2;                                                       //恢复延迟为2个时钟周期
SDRAM_Timing.RPDelay=2;                                                                //行预充电延迟为2个时钟周期
SDRAM_Timing.RCDDelay=2;                                                                //行到列延迟为2个时钟周期
HAL_SDRAM_Init(&SDRAM_Handler,&SDRAM_Timing);
SDRAM_Initialization_Sequence(&SDRAM_Handler);                                           //发送SDRAM初始化序列

}
/****************************************************************************************************************************
功  能：SDRAM初始化序列
参  数：hsdram:SDRAM句柄
返回值：无
****************************************************************************************************************************/
void SDRAM_Initialization_Sequence(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram)
{
u32 temp=0;
//SDRAM控制器初始化完成以后还需要按照如下顺序初始化SDRAM
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE,1,0);                                           //时钟配置使能
yanshi_us(500);                                                                         //至少延时200us
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_PALL,1,0);                                                 //对所有存储区预充电
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE,8,0);                                     //设置自刷新次数
//配置模式寄存器,SDRAM的bit0~bit2为指定突发访问的长度，
//bit3为指定突发访问的类型，bit4~bit6为CAS值，bit7和bit8为运行模式
//bit9为指定的写突发模式，bit10和bit11位保留位
temp=(u32)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1       |                                              //设置突发长度:1(可以是1/2/4/8)
SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL |                                              //设置突发类型:连续(可以是连续/交错)
SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3          |                                              //设置CAS值:3(可以是2/3)
SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |                                           //设置操作模式:0,标准模式
SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;                                           //设置突发写模式:1,单点访问
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE,1,temp);                                        //设置SDRAM的模式寄存器

//刷新频率计数器(以SDCLK频率计数),计算方法:
//COUNT=SDRAM刷新周期/行数-20=SDRAM刷新周期(us)*SDCLK频率(Mhz)/行数
//我们使用的SDRAM刷新周期为64ms,SDCLK=216/2=108Mhz,行数为8192(2^13).
//所以,COUNT=64*1000*108/8192-20=823
HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&SDRAM_Handler,823);
}
/****************************************************************************************************************************
功  能：SDRAM底层驱动，引脚配置，时钟使能此函数会被HAL_SDRAM_Init()调用
参  数：hsdram:SDRAM句柄
返回值：无
****************************************************************************************************************************/
void HAL_SDRAM_MspInit(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram){
GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct = {0};

__HAL_RCC_FMC_CLK_ENABLE();                                                             //使能FMC时钟
   __HAL_RCC_GPIOA_CLK_ENABLE();                                                             //使能GPIOA时钟
   __HAL_RCC_GPIOB_CLK_ENABLE();                                                             //使能GPIOB时钟
__HAL_RCC_GPIOC_CLK_ENABLE();                                                             //使能GPIOC时钟
__HAL_RCC_GPIOD_CLK_ENABLE();                                                             //使能GPIOD时钟
__HAL_RCC_GPIOE_CLK_ENABLE();                                                             //使能GPIOE时钟
__HAL_RCC_GPIOF_CLK_ENABLE();                                                             //使能GPIOF时钟
__HAL_RCC_GPIOG_CLK_ENABLE();                                                             //使能GPIOG时钟

GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_3 |GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_11|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13|GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15;
GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_PULLUP;
GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;
GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_FMC;

HAL_GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStruct);

/* GPIO初始化 */
GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_7;
GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_PULLUP;
GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;
GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_FMC;
HAL_GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStruct);

/* GPIO初始化 */
GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5;
GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_PULLUP;
GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;
GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_FMC;
HAL_GPIO_Init(GPIOC, &GPIO_InitStruct);

/* GPIO初始化 */
GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_15|GPIO_PIN_8;
GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_PULLUP;
GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;
GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_FMC;
HAL_GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStruct);

/* GPIO初始化 */
GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_7|GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10|GPIO_PIN_11|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13|GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15|GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1;
GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_PULLUP;
GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;
GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_FMC;
HAL_GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStruct);

/* GPIO_InitStruct */
GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10|GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15|GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1;
GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_PULLUP;
GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;
GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_FMC;
HAL_GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStruct);
}

extern SDRAM_HandleTypeDef SDRAM_Handler;//SDRAM句柄
#define Bank5_SDRAM_ADDR ((u32)(0XC0000000)) //SDRAM开始地址
#define Bank1_SDRAM_ADDR ((u32)(0X60000000)) //SDRAM开始地址

//SDRAM配置参数
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1          ((u16)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_2          ((u16)0x0001)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_4          ((u16)0x0002)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_8          ((u16)0x0004)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL    ((u16)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_INTERLEAVED    ((u16)0x0008)
#define SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_2             ((u16)0x0020)
#define SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3             ((u16)0x0030)
#define SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD ((u16)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_PROGRAMMED ((u16)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE    ((u16)0x0200)

IO连接如下
  /** FMC GPIO Configuration
  PF0 ------> FMC_A0
  PF1 ------> FMC_A1
  PF2 ------> FMC_A2
  PF3 ------> FMC_A3
  PF4 ------> FMC_A4
  PF5 ------> FMC_A5
  PA7 ------> FMC_SDNWE
  PC4 ------> FMC_SDNE0
  PC5 ------> FMC_SDCKE0
  PF11 ------> FMC_SDNRAS
  PF12 ------> FMC_A6
  PF13 ------> FMC_A7
  PF14 ------> FMC_A8
  PF15 ------> FMC_A9
  PG0 ------> FMC_A10
  PG1 ------> FMC_A11
  PE7 ------> FMC_D4
  PE8 ------> FMC_D5
  PE9 ------> FMC_D6
  PE10 ------> FMC_D7
  PE11 ------> FMC_D8
  PE12 ------> FMC_D9
  PE13 ------> FMC_D10
  PE14 ------> FMC_D11
  PE15 ------> FMC_D12
  PD8 ------> FMC_D13
  PD9 ------> FMC_D14
  PD10 ------> FMC_D15
  PD14 ------> FMC_D0
  PD15 ------> FMC_D1
  PG2 ------> FMC_A12
  PG4 ------> FMC_BA0
  PG5 ------> FMC_BA1
  PG8 ------> FMC_SDCLK
  PD0 ------> FMC_D2
  PD1 ------> FMC_D3
  PG15 ------> FMC_SDNCAS
  PE0 ------> FMC_NBL0
  PE1 ------> FMC_NBL1

//SDRAM内存测试
void fsmc_sdram_test(u16 x,u16 y)
{
u32 i=0;
u32 temp=0x0000;
u32 sval=0; //在地址0读到的数据
//    LCD_ShowString(x,y,180,y+16,16,"Ex Memory Test: 0KB ");
//每隔16K字节,写入一个数据,总共写入2048个数据,刚好是32M字节
for(i=0;i<32*1024*1024;i+=16*1024)
{
*(vu32*)(Bank5_SDRAM_ADDR+i)=temp;
temp++;
// printf("SDRAM WRIT:%d\r\n",(u16)temp);//打印SDRAM容量
}

//依次读出之前写入的数据,进行校验
for(i=0;i<32*1024*1024;i+=16*1024)
{
    sval=*(vu32*)(Bank5_SDRAM_ADDR+i);
// if(i==0)sval=temp;
// else if(temp<=sval)break;//后面读出的数据一定要比第一次读到的数据大.
// LCD_ShowxNum(x+15*8,y,(u16)(temp-sval+1)*16,5,16,0); //显示内存容量
// printf("SDRAM Capacity:%dKB\r\n",(u16)(temp-sval+1)*16);//打印SDRAM容量
printf("SDRAM Capacity:%d\r\n",(u16)sval);//打印SDRAM容量

// u8 ddd[1];
//    ddd[0]=sval;
// DMA_USART5_Write(ddd,1);
}
}

现象是若配置FMC IO接口为上拉读出数据为65535 配置下拉全为0  上下拉不配置时读出的是乱码  上拉时把FMC数据线短接到地读出对应位的数据会变化不知道是哪的问题求大神提示下