潘多拉L475板的FLASH模拟EEPROM例程是不是代码写错了？使用时发现两个位置有问题，坑啊

yuzeyuan1

第一个问题，例程里原有的是对TEXT_Buffer进行写和读，看着没问题，但是新加一个TEXT_Buffer2，发现没法对TEXT_Buffer2进行写操作，直接就会卡死在一个64位的赋值代码里：STMFLASH_BUF[i + secoff] = pBuffer[i];，注意这里并不是卡死在flash读写中，而是单纯卡死在64位数据的赋值中（因为我把所有flash读写代码都删了试的）。
折腾两天后发现：若TEXT_Buffer2为全局变量，只有当数据长度为4的倍数时才能读写；若TEXT_Buffer2为局部变量，则都可以进行读写。再找手册里写的，对flash操作必须是4字节对齐的。于是把全局变量的TEXT_Buffer2改为__align(4) TEXT_Buffer2就好使了。
所有第一个问题是例程的代码里少添了一个四字节对齐吗？另外我是不是可以这么理解？：当为全局变量时，数据等于是存在flash中的，所以所有数据必须按照flash要求的四字节对齐，而局部变量是临时申请了一块堆，是不需要像在flash里一样四字节对齐的。这么理解对吗？

第二个问题，main函数中字义了u8 datatemp[SIZE];其中SIZE为3，而这个变量用在了STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR, (u32*)datatemp, SIZE * 2);，这显然是不对的吧？把一个u8的长度为3的数组，强转成了32位，还要在里面读出来18个字节，这啥情况呀？例程代码跑起来竟然是可以用的，想不明白这里的逻辑。随后我自己移了一个操作系统的代码，发现能读出来数据，但是会莫名其妙地崩溃，没找到崩溃原理和位置，但如果把u8 datatemp[SIZE];改为u8 datatemp[SIZE*8];或u64 datatemp[SIZE];就不会再崩了。所以我觉得例程中的写法是错的，可能能用，但是一定是自己没开那么大的空间（一共才开了3字节），就占别人的空间了（占了18个字节）。
所以这里是变量定义有误吗？

yuzeyuan1

测试完成，结果说一下，对新手有点儿用：
1、对于第一个问题，我的想法已经验证是对的，代码里就是需要加一个四字节对齐
2、对于第二个问题，代码肯定是错的。改成u8 datatemp[SIZE*8];或u64 datatemp[SIZE];就对了，只不过这套代码里只读写了一个数据，看不出来错，多打几个数据的话就会看到，第一个数组已经占用了第二个数组的空间。
3、对于局部变量，应该是存储空间是连续的，且是自动四字节对齐的。对于全局变量，其存储空间不连续，且不是四字节对齐，所以全局变量进flash后代码会崩，而局部变量就可以正常读写flash
4、新增问题3：FLASH有个ECCD检测，详见http://www.stmcu.org.cn/module/forum/thread-617281-1-1.html，解释一下就是，如果整页都是空的，那就可以直接写入数据，如果要写的部分空间是空的，但这个页中的其它部分有数据，则必须强制擦除整页，再写入数据。
链接中的贴子上写的：在对 flash 连续写的过程，ECC 纠错检查会开启，如果这个时候，你往已经写过的区块更新数据（不擦除，再次写），就会触发ECC错误。我是这么理解的，因为 ECC 想帮你纠错，但这又是你主观上的操作，且ECC 监测到错误超过了2个，无法完成纠错，就上报了异常。要想避免 ECCD 错误，就严格遵守 先擦后写 的原则。

39035605

你好，STM32L4的FLASH驱动确实有点问题，我这边解决好后，再把问题反馈给你。

39035605

你好，今天抽时间改了一下STM32L4的FLASH驱动，之前的底层驱动确实有很多问题，可以看一下这个最新的驱动代码，当然例程中的其他FLASH相关驱动都需要改一下。    附件中包含了最新的代码，你可以再测试一下。