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楼主 |
发表于 2019-7-29 11:40:05
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原子哥,我就是不知道改哪里啊,你视频看了好几遍了,还是不知道8位该怎么改啊,
//寄存器清零
//bank1有NE1~4,每一个有一个BCR+TCR,所以总共八个寄存器。
//这里我们使用NE1 ,也就对应BTCR[0],[1]。
FSMC_Bank1->BTCR[6]=0X00000000;
FSMC_Bank1->BTCR[7]=0X00000000;
FSMC_Bank1E->BWTR[6]=0X00000000;
//操作BCR寄存器 使用异步模式
FSMC_Bank1->BTCR[6]|=1<<12; //存储器写使能
FSMC_Bank1->BTCR[6]|=1<<14; //读写使用不同的时序
FSMC_Bank1->BTCR[6]|=1<<4; //存储器数据宽度为16bit
//FSMC_Bank1->BTCR[6]|=0<<4; //存储器数据宽度为8bit
这里我想知道16位改8位这样是否在正确。
//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector4,地址位HADDR[27,26]=11 A6作为数据命令区分线
//注意设置时STM32内部会右移一位对其! 111 1110=0X7E
#define LCD_BASE ((u32)(0x6C000000 | 0x0000007E))
#define LCD ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)
这里又应该改成什么呢 |
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