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写FLASH会进入HardFault\_Handler

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发表于 2019-7-24 15:55:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
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STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容


//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)          
{
        u16 i;
        for(i=0;i<NumToRead;i++)
        {
                pBuffer=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
                ReadAddr+=2;//偏移2个字节.       
        }
}


我之前没添加W5500的文件时,此函数功能没有问题,添加后进入这个函数会HardFault\_Handler,注释掉就没问题了,是RAM的问题吗?可是我看了下MDK编译的才4000多字节啊?有没有大神知道这个问题的。
之前按网上说的找HardFault\_Handler的错误方法,就没找到那个地址。。。。。。@正点原子

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已解决是堆栈初始值太小,加大就OK了
正点原子逻辑分析仪DL16劲爆上市
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 楼主| 发表于 2019-7-24 15:55:40 | 显示全部楼层
已解决是堆栈初始值太小,加大就OK了
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 楼主| 发表于 2019-7-24 19:40:32 | 显示全部楼层
测试发现读这个函数没有问题,是能够读出来的
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)          
{
        u16 i;
        for(i=0;i<NumToRead;i++)
        {
                pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
                ReadAddr+=2;//偏移2个字节.       
        }
}
那会不会是在写的时候这个函数第三个形参的值过大了?

#define STM_SECTOR_SIZE        2048
#endif                 
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节

STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
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 楼主| 发表于 2019-7-24 20:49:37 | 显示全部楼层
它是写的时候进入读函数,在把一个扇区读完后却无法回到写函数里去,而是到死循环里去了。。。这是为什么。。。。。
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 楼主| 发表于 2019-7-24 20:51:00 | 显示全部楼层
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)       
{
        u32 secpos;           //扇区地址
        u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
        u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)          
        u16 i;   
        u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
        if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
        FLASH_Unlock();                                                //解锁
        offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
        secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
        secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
        secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
        if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
        while(1)
        {       
                STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
                for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
                {
                        if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除            
                }
                if(i<secremain)//需要擦除
                {
                        FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
                        for(i=0;i<(secremain/2);i++)//复制
                        {
                                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];          
                        }
                        STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
                }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                   
                if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
                else//写入未结束
                {
                        secpos++;                                //扇区地址增1
                        secoff=0;                                //偏移位置为0          
                           pBuffer+=secremain;          //指针偏移
                        WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移          
                           NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
                        if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
                        else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
                }         
        };       
        FLASH_Lock();//上锁
}
无法回到校验数据那行里去了
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 楼主| 发表于 2019-7-24 21:08:05 | 显示全部楼层
@正点原子 原子哥
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发表于 2019-7-25 02:06:28 | 显示全部楼层

执行flash操作的时候,尝试禁止中断,试试
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