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发表于 2019-6-17 15:02:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
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特征
·快速:针对中等工作频率进行了优化(硬切换时为1-5 kHz,> 20谐振模式下的kHz)。
·第4代IGBT设计提供比第3代更严格的参数分配和更高的效率
·IGBT与HEXFREDM超快速,超软恢复反并联二极管共同封装,用于桥式配置
·行业标准TO247AC封装

优点
·第四代IGBT的效率最高
·IGBT针对特定应用条件进行了优化
·HEXFRED二极管针对IGBT的性能进行了优化。最小化的恢复特性需要较少/不需要缓冲
·设计为同等行业标准的第3代IR IR的“直接”替代品

规格信息
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):49A
脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.7V @ 15V,27A
功率 - 最大值:160W
开关能量:950μJ(开),2.01mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:100nC
25°C 时 Td(开/关)值:63ns/230ns
测试条件:480V,27A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):42ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:IRG4PC40FD
供应商器件封装:TO-247AC

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