在SDRAM中长时间存储数据时，数据混乱

youwei

CPU：STM32F439
系统：uCOS
应用描述：
1.本工程目前存在以下几个任务：
A任务：AD采样任务，每20ms采样一次（AD有12个通道，都采集完成），累积并平均1s（即50次）的数据，然后发送到B任务。
B任务：从A任务接收数据，根据数据缓冲数组的长度buf_size（该值可设置，1k或者其他）进行缓冲数据，并进行数据转换字符操作，本任务中有2个缓冲buf，buf1和buf2（定义在sdram中），长度相同，在实时操作中切换使用，例如：buf1用于实时接收A任务数据，buf2用于在积攒满buf_size之后向C任务发送数据首地址。当buf1积攒满之后，将buf1地址发送给C任务，启用buf2进行接收数据，循环往复切换。
C任务：当B任务积攒满buf_size个数据之后，接收数据首地址，向SD卡中写入该组数据。

2.问题描述：
问题1：当其他任务设置不变，若B任务中的buf_size设置为较小的值，例如1k，写入SD卡中的数据正确。若将B任务中buf_size设置为10k或者更大的值之后，写入SD卡的数据错误，通过IAR观察buf（即SDRAM中的数据）发现其数据确实错了。
问题2：当其他任务设置不变，将A任务中的累积平均时间改小例如5次，即100ms平均并发送一次，B任务中的buf_size可设置为20k甚至更大均可以正常工作，即C任务中写入SD卡的数据不存在混乱现象。

3.问题总结：
以上两个问题现象总结感觉像是在SDRAM中存放的数据时间过长时数据即发生了变化。但是SDRAM已经经过读写测试不存在问题。

youwei

正点原子 发表于 2019-6-11 02:00
不应该是SDRAM自己发生错误，考虑是任务写数据，或者中断写数据进去的时候，出问题，越界或者溢出了。

谢谢回复。
问题已经解决，在SDRAM初始化时候调用的设置刷新率的hal库函数错了，修改后正常工作。

正点原子

不应该是SDRAM自己发生错误，考虑是任务写数据，或者中断写数据进去的时候，出问题，越界或者溢出了。

侯林明

不知道怎么把数据存到外部ram里，求程序

youwei

侯林明 发表于 2019-8-27 16:44
不知道怎么把数据存到外部ram里，求程序

注：在IAR变成下如下操纵

1.在ICF文件中确定SDRAM的地址：
define symbol __region_SDRAM_RAM_start__      = 0xC0000000;
define symbol __region_SDRAM_RAM_end__        = 0xCFFFFFFF;

2.在你想要放入SDRAM的数组之前加入 “   #pragma location="SDRAM"   ”
例如我想要将ltdc_lcd_framebuf[1024][768]这个数组放入到SDRAM中，则如下操作：

#pragma location="SDRAM"
__no_init uint16_t ltdc_lcd_framebuf[1024][768];