NTF2955T1G那些详细的介绍就在这里

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NTF2955T1G小知识

特征
·低RDS（on）设计
·在雪崩和换向模式下可承受高能量
·AEC-Q101 Qualified-NVF2955，NVF2955P
·这些器件是无铅的，符合RoHS标准

应用
·电源
·PWM电机控制
·转换器
·能源管理

规格参数
制造商：ON Semiconductor
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：si
型号：NTF2955T1G
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOT-223-3
通道数量：1Channel
品体管极性：P.Channel
Vds-漏源极击穿电压：60V
1d-连续漏极电流：2.6A
Rds On-漏源导通电阻：185mOhms
Vgs th-棚源极饲值电压：2V
Vgs-栅极.源极电压：10V
Qg-棚极电荷：14.3nC
最小工作温度：-55C
最大工作温度：+175C
Pd-功率耗散：2.3W
配置：Single
通道模式：Enhancement
封装：Cut Tape
封装：MouseReel
封装：Reel
高度：1.57mm
长度：6.5mm