战舰板外扩SRAM实验疑问，求解

jiaozhu

问题1：FSMC设置的时候为什么选择的是模式A,STM32中文参考手册上提到了模式1可以用来操作SRAM，用模式1可以吗？在FSMC库函数中怎么没有出现模式1？
问题2：FSMC设置的为什么是异步模式？我是根据后面的读写推测的，采用同步可以吗？
问题3：
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)

{

for(;n!=0;n--)  

{    

*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;  

WriteAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.

pBuffer++;

}   

}
这是写外部SRAM,里面用到了vu8,这里用u8会出现什么状况呢？
大神们帮解答下，谢谢

正点原子

1，不一定要模式A,我看到有人用其它模式的，所以，你可以设置其它模式，只要时序能符合LCD的要求即可。
2，我们用的是异步模式。。。
3，这里是+=1才对，代码有bug。

jiaozhu

回复【2楼】正点原子:
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谢谢原子哥的回答
关于问题2：我看出来是异步模式了，但我想知道的是用同步模式可以吗？用同步模式只需要写一次地址，那样的话速度应该更快吧？
关于问题3：你说的+=1是说的WriteAddr+=2这里吗？我想知道是*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer里面为什么用到了vu8，而           不是u8，用u8了会有啥问题？

正点原子

回复【3楼】jiaozhu:
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2，没试过，你可以试试。
2，是的。vu8，可以防止编译器优化。

jiaozhu

回复【4楼】正点原子:
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谢谢原子哥