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STM32F407ZG Flash擦除时死机

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发表于 2019-5-21 15:06:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
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小弟目前在做STM32F407ZGT6 USB IAP的功能,目前工程对USB的文件读取.bin 文件的烧录都没有问题。工程以正点原子的USB HOST实验为基础移植的,目前的问题是Flash擦除时,当配置完 FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT后跳转到下一句代码时,Keil就会有弹窗报错,如图:        。在FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT这条指令后面增加延时或者增加_nop,或者在status = FLASH_WaitForLastOperation();函数内部循环时增加延时均没有效果。但有一个不一样的现象是,在debug模式下,在 FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;位置增加断点,程序跑到这个位置时停顿一两秒钟的时间再点继续运行时,却又可以正常运行。真的一脸懵逼。                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                        网上看到有人PO出来类似的问题,但他们的办法尝试过都解决不了问题,想请教原子哥还有各路大神,帮忙看看是啥问题。                    金钱不多,全部贡献出来。



FLASH_Status FLASH_EraseSector(uint32_t FLASH_Sector, uint8_t VoltageRange)
{
  uint32_t tmp_psize = 0x0;
  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

  /* Check the parameters */
  assert_param(IS_FLASH_SECTOR(FLASH_Sector));
  assert_param(IS_VOLTAGERANGE(VoltageRange));
  
  if(VoltageRange == VoltageRange_1)
  {
     tmp_psize = FLASH_PSIZE_BYTE;
  }
  else if(VoltageRange == VoltageRange_2)
  {
    tmp_psize = FLASH_PSIZE_HALF_WORD;
  }
  else if(VoltageRange == VoltageRange_3)
  {
    tmp_psize = FLASH_PSIZE_WORD;
  }
  else
  {
    tmp_psize = FLASH_PSIZE_DOUBLE_WORD;
  }
  /* Wait for last operation to be completed */
  status = FLASH_WaitForLastOperation();
  
  if(status == FLASH_COMPLETE)
  {
    /* if the previous operation is completed, proceed to erase the sector */
//    FLASH->CR &= CR_PSIZE_MASK;
//    FLASH->CR |= tmp_psize;
//        
//    FLASH->CR &= SECTOR_MASK;
//    FLASH->CR |= FLASH_CR_SER | FLASH_Sector;
//    FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;

        FLASH->CR &= ~(3<<8); //清除 PSIZE 原来的设置
        FLASH->CR |= 0x200; //设置为 32bit 宽,确保 VCC=2.7~3.6V 之间!!
        FLASH->CR &= SECTOR_MASK;//清除原来的设置
        FLASH->CR |= FLASH_Sector;//设置要擦除的扇区
        FLASH->CR |= 1<<1; //扇区擦除
        FLASH->CR |= 1<<16; //开始擦除,加粗的代码实现同样的功能,启动寄存器置1
    /* Wait for last operation to be completed */
    status = FLASH_WaitForLastOperation();
    /* if the erase operation is completed, disable the SER Bit */
    FLASH->CR &= (~FLASH_CR_SER);
    FLASH->CR &= SECTOR_MASK;
  }
  /* Return the Erase Status */
  return status;
}

                  

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老表们帮顶啊,代码放到内存里跑都试过了不行,难道是探索者开发板有问题?求关注
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 楼主| 发表于 2019-5-21 15:06:34 | 显示全部楼层
老表们帮顶啊,代码放到内存里跑都试过了不行,难道是探索者开发板有问题?求关注
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 楼主| 发表于 2019-5-21 15:08:24 | 显示全部楼层
图片没上传成功,重新传一下
捕获.PNG
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 楼主| 发表于 2019-5-21 15:51:29 | 显示全部楼层
关中断,或是关串口都没效果,,,困扰两天了。。
uint32_t FLASH_If_Erase(uint32_t StartSector)
{
  uint32_t i = 0;

  /* Get the sector where start the user flash area */

  for(i = StartSector; i < FLASH_Sector_7; i+=8)
  {
    /* Device voltage range supposed to be [2.7V to 3.6V], the operation will
       be done by word */
                USART_Cmd(USART1, DISABLE);
    if (FLASH_EraseSector(i, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)
    {
      /* Error occurred while page erase */
      return (1);
    }
                USART_Cmd(USART1, ENABLE);
  }
  return (0);
}
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发表于 2019-5-21 16:34:34 | 显示全部楼层
帮顶!!
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 楼主| 发表于 2019-5-21 18:57:17 | 显示全部楼层

感谢老哥!
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发表于 2019-11-6 21:44:58 | 显示全部楼层
楼主解决该问题没有,我目前在调试F407ZG写flash也有这个问题 同求
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发表于 2019-11-6 21:46:01 | 显示全部楼层
请问楼主该问题解决没有,目前我在调试F407ZGT6也出现这种问题
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发表于 2019-11-6 22:00:29 | 显示全部楼层
楼主有没有解决该问题,我现在调试STM32407遇到类似的问题,有时候是start没有变成1 然后报CR寄存器设置错误,有时候是进图不了wait函数,不知道为什么
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