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K4T1G164QE-HCE7小秘密

      K4T1G164QE-HCE7组织为32Mbit x 4 I / O x 8bank，16Mbit x8 I / Osx 8bank或8Mbit x 16 I / O x8 bank设备。对于一般应用，该同步器件可实现高达800Mb / sec / pin（DDR2-800）的高速双倍数据速率转换速率。
       该芯片的设计符合以下关键DDR2 SDRAM功能，如发布的CAS具有附加延迟，写入延迟=读取晚期ncy-1，片外驱动器（OCD）阻抗调整和On Die终端。
所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）。所有I / O都以源同步方式与一对双向选通（DQS和DQS）同步。地址总线用于以RAS / C AS多路复用方式传送行，列和存储体地址信息。例如，1Gb（x8）设备接收14/10/3寻址。
      K4T1G164QE-HCE7器件采用1.8V±0.1V单电源和1.8V±0.1V VDDQ供电。
      K4T1G164QE-HCE7器件提供60ball FBGA（x4 / x8）和84ball FBGA（x16）。

·JEDEC标准VDD = 1.8V±0.1V电源
·VDDQ = 1.8V±0.1V
·333MHz fCK，667Mb / sec /引脚，400MHz fK，800Mb / sec /引脚
·8Banks
·发布CAS
·可编程CAS延迟：3,4,5,6
·可编程添加剂晚期：0,1,2,3,4,5
·写延迟（WL）=读延迟（RL）-1
·Burst Lengt h：4,8（Inte rleave / nibble sequential）
·Programmab le Sequential / Interleave Burst Mode
·双向差分数据选通（单端数据选通是一项可选功能）
·片外驱动器（OCD）阻抗调整
·关于模具终止
·特殊功能支持
-50欧姆ODT
- 高温自我恢复速率启用
·平均反射时间7.8us低于TCASE 85C，3.9us时85℃<TCASE <95℃
·所有产品均为无铅，无卤素，符合RoHS标准