关于加快SPI读取外部flash芯片存取速度的问题

刘念夕 · 发表于 2019-5-7 12:18:02

最近用HAL库对片外flash芯片（8M）进行存取操作，发现擦除时间和读写时间都太久了。准备用LL库。因为LL库资料比较少，直接看库，发现没有相应的SPI存取操作函数，查了一下网上，有说直接操作寄存器就行。那不就用不到LL库了，本人主要想问一下，加快存取速度大家有没有什么建议？
HAL库的HAL_SPI_TransmitReceive的确太麻烦了，实际使用的时候会人为按字节对其存储读取的。

正点原子 · 发表于 2019-5-7 12:18:03

1，用QSPI接口；2，提高CLK频率；3，用纯寄存器操作数据读写。

Electronic · 发表于 2019-5-7 15:20:00

首先说明一下，并不是因为函数传递的原因影响了写入的速度，因为擦除数据本来就非常慢。操作寄存器会快一点，但是不是非常的明显。有个小技巧，就是先等待状态，等数据Buff为空再写入。这样就在SPI还在传输的时候，单片机不至于在死等，可以立即执行下面的代码

brucewoo · 发表于 2019-5-7 15:38:35

试试用DMA来发送数据到SPI，把CPU解放出来。

翼间 · 发表于 2019-5-8 08:49:01

本帖最后由翼间于 2019-5-8 08:52 编辑

串行FLASH的写速度慢不是因为MCU慢，而是串行的FLASH写入速度本身就慢，提高总线时钟频率只能提高读的速度，而写入和擦除的速度的瓶颈是受限于FLASH芯片本身的参数，用什么库根本没影响，以华邦的25Q64为例，数据手册上都告诉你了，写一页256个字节的典型时间是0.45毫秒，写一个4K扇区的典型时间是60毫秒，写一个32K块的典型时间是120毫秒，擦除整片的典型时间是20秒，这里任意一个时间都远远大于SPI端口的操作时间，必须要加延时等待写入完毕。所以：需要频繁改写的数据不要存到串行FLASH里，如果不得不频繁改写，RAM里开辟一个缓存区，把要改写的那部分读出来，改写只在RAM里改写，隔一段时间才真正写入FLASH一次，降低写入频率，缺点是这段时间内发生断电的话可能会丢失这段时间内改写的数据，如果不能接受数据丢失，那就必须用铁电或者并口的FLASH之类的高速存储器。