STM32F0内部FLASH写入导致内存溢出

way7539512

[mw_shl_code=c,true]void Write_Flash(void)
{
        u8 i = 0,nPage = 0;
        u32 Address = 0;
        volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;//擦除完成标志
       
        FLASH_Unlock();//擦写Flash解锁
        FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPERR);//清除操作结束|编写错误|页写保护错误
        nPage = (Write_End_Address - Write_Start_Address)/Flash_Page;//计算页数
        for(i=0;(i<nPage)&&(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE);i++)//循环擦除flash
                FLASHStatus = FLASH_ErasePage(Write_Start_Address+(Flash_Page*i));
        //FLASH_ProgramHalfWord();半字写入(16位)FLASH_ProgramWord();全字写入(32位)
       
        Address = Write_Start_Address;
        if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)//写入X轴水平点
                FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address,0x12345678);
        Address +=4;
        if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)//写入Y轴水平点
                FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address,0x23456789);
        Address +=4;
        if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)//写入Z轴水平点
                FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address,0x34567890);
        Address +=4;
        if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)//写入设备ID
                FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address,Device_ID);
       
        FLASH_Lock();//锁定Flash
}
[/mw_shl_code]
在调用这个函数后，写入地址时就会进入内存溢出，看了一些都是说的没有对齐，请问这个怎么对齐，我全字写入也不行，直接写入固定数也不行，

正点原子

写flash首地址是多少的倍数，就是多少对齐，比如是4字节的倍数，就是4字节对齐。

way7539512

正点原子 发表于 2019-5-6 01:38
写flash首地址是多少的倍数，就是多少对齐，比如是4字节的倍数，就是4字节对齐。

//STM32F042F4内部16KFlash,
#define Flash_Page                                ((uint32_t)0x00000400)
//Page 15
#define Write_Start_Address                        ((uint32_t)0x08003C00)
#define Write_End_Address                        ((uint32_t)0x08004000)

way7539512

这个是4字节的倍数把，我后面直接改成全字节写入还是会这样，再F1的板子上又一切正常，，

way7539512

file:///C:/Users/Admin/Desktop/QQ%E5%9B%BE%E7%89%8720190506094951.png
其他都是正常的，每次到写入就会溢出。。。