IRLML6302TRPBF特点详细介绍

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IRLML6302TRPBF特点详细介绍

描述
      IRLML6302TRPBF利用先进的处理技术实现每硅片面积极低的导通电阻。这种优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。
      定制的引线框架已纳入标准SOT-23封装，可生产具有业界最小尺寸的HEXFET功率MOSFET。这种称为Micro3的封装非常适用于印刷电路板空间非常宝贵的应用。 Micro3的低配置（<1.1mm）使其可以轻松适应极薄的应用环境，如便携式电子设备和PCMCIA卡。

特点描述
· 第五代技术
· Ulitra低导通电阻
· P沟道MOSFET·SOT-23封装
· 薄型（<1.1mm）
· 可用于卷带
· 快速切换
· 晶体管极性沟道
· 漏极电流, Id 最大值:-780mA
· 电压, Vds 最大:20V
· 开态电阻, Rds(on):0.6ohm
· 电压 @ Rds测量:-4.5V
· 电压, Vgs 最高:-12V
· 功耗:0.4W
· 工作温度范围:-55°C to +150°C
· 封装类型:SOT-23
· 针脚数:3
· SMD标号:1C
· 功率, Pd:0.4W
· 器件标记:IRLML6302
· 外宽:3.05mm
· 外部深度:2.5mm
· 外部长度/高度:1.12mm
· 封装类型:SOT-23
· 带子宽度:8mm
· 晶体管数:1
· 晶体管类型:MOSFET
· 温度 @ 电流测量:25°C
· 满功率温度:25°C
· 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
· 电压, Vds 典型值:-20V
· 电流, Id 连续:0.6A
· 电流, Idm 脉冲:34A
· 表面安装器件:表面安装
· 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
· 阈值电压, Vgs th 最高:-1.4V

zuan

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