FDN304P的小知识

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FDN304P的小知识

一般说明
这款P沟道1.8V特定MOSFET采用飞兆半导体先进的低压PowerTrench工艺。
它已针对电池电源管理应用进行了优化。

详细规格
FET型：MOSFET P通道，金属氧化物
ld时的Vgs333th444111最大222：1.5V@250uA
封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
类别：FET-单
FET特点：逻辑电平门
闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC@4.5V
供应商设备封装：3-SSOT
描述：MOSFET P-CH20V2.4ASSOT3
漏极至源极电压333Vdss444：20V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1312pF@10V
包装：带卷（TR）
系列：PowerTrench@
电流连续漏极3331d4440a025000C：2.4A
功率_最大：460mW
制造商：Fairchild Semiconductor
开态：Rds111最大
2220a0ldwwwVgs0a025000C：52毫欧@2.4A，4.5V
安装类型：表面贴装

应用
·电池管理
·负载开关
·电池保护