AO4840L详细介绍

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AO4840L详细介绍

一般说明
       AO4840L采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。该双器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO4840不含铅（符合ROHS和Sony 259规格）。 AO4840L是绿色产品订购选项。 AO4840和AO4840L在电气上完全相同。

特征
VDS（V）= 40V ID = 6A（VGS = 10V）
RDS（ON）<31mS2（VGS = 10V）
RDS（ON）<45mS2（VGS = 4.5V）

详情介绍：
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）
制造商标准提前期：16 周
系列：-
包装：剪切带（CT） ,带卷（TR）
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：30毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.8nC@10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：650pF@20V
功率（最大值）：2W
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
安装类型：表面贴装(SMT)
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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