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求助。请教原子哥。关于F407的写Flash

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发表于 2019-1-29 15:52:05 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
已知STM32F407VG的Flash主存储器区分为12个扇区,第0至第3个每个16K,第4个64K,后面7个都是128K。我想把用户代码置于后7个扇区,前面的用做用户数据储存区。能不能办到?我现在这样做编译是通不过的。为什么想要这样?128K空间太大,一是太费时间,二是我腾不出这么大的sRAM空间来保证数据不丢失(写Flash前必须擦除,擦除就全FFFFFFFF)
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 楼主| 发表于 2019-1-29 16:18:12 来自手机 | 显示全部楼层
这点F407还不如F103方便。如果我有8块数据要存储,每块16K,共128K。如果只改动其中一块数据,非得128K整个扇区都擦除。其他7块数据要复制粘贴一遍,效率低下。
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 楼主| 发表于 2019-1-29 16:26:10 来自手机 | 显示全部楼层
每改写某小块,将改动整个扇区,这样Flash的寿命损耗也是8倍啊!!!!
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 楼主| 发表于 2019-1-29 17:40:33 来自手机 | 显示全部楼层
总而言之,有没有办法把函数放在第5及以上的扇区,第1/2/3/4用于数据存储
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