PLZ7V5C-HG3相关资料

pepi

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产品参数
FET类型:  P沟道
技术: MOSFE（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流-连续漏极（ld）（25°C时）: 1A（Ta）
驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）:  2.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）:  2V@1mA
Gate Charge（Qg）（Max）@Vgs : 2.1nC
Voltage Coupled to Gate Charge（Qg）（Max）@Vgs:4.5V
Vgs（最大值）：±12V
Input Capacitance/Giss）Max）@Vds： 150pF
Voltage Coupled to lnput Capacitance（Ciss）（Max）@Vds： 1
FET功能：肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）：1W（Ta）
不同ld，Vgs时的Rds On（最大值）：390毫欧@1A，4.5V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TUMT5
封装/外壳6-SMD（5引线）：扁引线