MOS管与IGBT反并联的快速恢复二极管的不同

lili0231 · 发表于 2018-12-16 10:32:30

MOS管在制作生产时，这个反并联的快速恢复二极管就自动复合而成，不需要人为特意去另装这个PN结。

但是IGBT在制作生产时，这个反并联二极管不是自动复合而成，是没有的，需要单独再并联一个快速恢复二极管。

请问我的理解对吗？请大家指导，谢谢！

yqdz2005 · 发表于 2018-12-16 18:56:38

驱动能力不同

zengbiao12315 · 发表于 2018-12-19 10:41:55

MOS管衬底因为一般和S级联在一起，所以外面看起来是二级管反并联一样，SPEC里面叫BODYDIODE, 也有特意强化这个反并联二极管的，作出肖特基二极管，VF,开关速度都比较快

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