STD2HNK60Z-1详细参数

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型号： STD2HNK60Z-1
制造商: STMicroelectronics
RoHS:  无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装： Tube
说明： MOSFET N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
产品种类：MOSFET
晶体管极性 ：N-Channel
汲极/源极击穿电压： 600 V
闸/源击穿电压： +/- 30 V
漏极连续电流 ：2 A
导通电阻 ：4.8 Ohms
配置： Single
最大工作温度： + 150 C
安装风格： Through Hole
封装 / 箱体： IPAK-3
封装： Tube
商标 ：STMicroelectronics
下降时间： 50 ns
正向跨导 - 最小值： 1.5 S
栅极电荷： Qg 11 nC
最小工作温度：- 55 C
功率耗散： 45 W
上升时间： 30 ns
系列： STD2HNK60Z
工厂包装数量： 75
典型关闭延迟时间： 13 ns
标准包装： 75
类别 ：分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列 ：SuperMESH??
包装： 管件
FET 类型 ：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 ：标准
漏源极电压 (Vdss) ：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 2A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.8 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) ：15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) ：280pF @ 25V
功率 - 最大值 ：45W
安装类型 ：通孔
封装/外壳 ：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装： I-Pak
其它名称： 497-12783-5 STD2HNK60Z-1-ND