STF18NM80场效应管技术参数

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　　产品型号：STF18NM80
　　商品目录：MOS(场效应管)
　　额定工作电流：17A
　　Vdss的电压：800V
　　Vgs(th)最大阈值：5V @ 250uA
　　导通电阻Rds：295 mΩ @ 8.5A, 10V
　　类型：N-Channel
　　耗散功率(Max)：40W

　　STF18NM80特征：
　　Order codes：STF18NM80
　　VDSS：800V
　　RDS(on)max：<0.295Ω
　　ID：17 A (1)
　　100%次雪崩试验
　　低输入电容和栅极电荷
　　低栅输入电阻
　　应用：交换应用

　　这些N沟道功率MOSFET是使用STMicroelectro.'革命性的MDmesh?技术开发的，该技术将多重漏极工艺与公司的PowerMESH?水平布局相关联。
　　这些器件提供极低的导通电阻、高dv/dt和极好的雪崩特性。这些功率MOSFET利用ST的专有条带技术，具有比市场上同类产品优越的整体动态性能。

　STF18NM80设备摘要：

　　STF18NM80电气额定值：

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