STM32F4内部Flash模拟EEPROM的问题

希望在转角

    看了“正点原子”的例程，在擦除Flash扇区之前并没有本地保存扇区数据（例程中也写到了STM32F4的扇区太大了）。
    但是实际应用中，我们往往是需要在某个扇区里保存多个变量的数据，而每次只修改其中某一个变量的数据。
    这样，如果在擦除Flash扇区之前没有本地保存数据的话，这些数据都被清除掉。
    为了避免这种情况，我的想法是这样的：
    假设有100个变量需要保存在Flash中，每个变量的存储长度是4个字节，那么事先在RAM中开辟400个字节的缓存空间。
    在每次擦除Flash扇区之前，将100个变量从Flash中读出到RAM中的缓存空间中来，等擦除扇区之后，再将这400个字节
    的缓存数据写入到Flash中，这样就保证了所有需要的变量数据都不会被擦除。
    实际就是以较小的RAM开销来本地保存扇区数据。