stm32f103系列内部flash代替eeprom问题

孙胖子

本人小白，最近自己在撸代码（其实是ctrl c+ctrl  v ）想做一个液晶的菜单但是板子上没有eeprom，只能用片内的flash代替。对了我用的是STM32F103VCT6。
遇到的问题如下：1.我想用内部flash代替eeprom保存电阻屏校准的参数，但是片内的flash都是半字或者全字读写的。在函数 STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)  的地址是加2的，但是我的指针每次只加1.这样会出错吧。找了一天资料不知道如何下手。
  2.后来我用试着写一个常量到flash因为例程也有AT24CXX_WriteOneByte(SAVE_ADDR_BASE+14,0X0A);        这个标志量。我用这个void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData)  写 ，然后
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)读出来，可是读出来的都是乱码。

下面是我的代码  希望各位大佬指点一二
#define FLASH_SAVE_ADDR  0X08070000
u16 temp；
Test_Write(FLASH_SAVE_ADDR,0X47);
temp=STMFLASH_ReadHalfWord(FLASH_SAVE_ADDR);
LCD_ShowChar(30,190,temp,16,0);       

HXYDJ

把这个地址改小试试 #define FLASH_SAVE_ADDR  0X08070000  改为 0X08030000或者0X08020000试试

1547674987

你的flash写半字之前要确保它之前是都是0xffff，不然你写不成功的，另外你提的第一个问题很好解决：把你u8的buf强势转化再调用STMFLASH_Write_NoCheck（FLASH_SAVE_ADDR，(u16*)buf,sizeof(buf)/2)）

孙胖子

HXYDJ 发表于 2018-11-1 08:35
把这个地址改小试试 #define FLASH_SAVE_ADDR  0X08070000  改为 0X08030000或者0X08020000试试

改小之后第一个问题找到一个问题的原因了，是地址的问题。