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MIOS管驱动电机发烫,是MOS管选择问题还是电路问题。

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发表于 2018-9-13 15:26:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
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2018-09-13_151206.jpg
如图,光耦那部分电路没有焊接。单片机控制CTRL_MOTOR是3.3V电平。
使用Q5控制MOS管NCE30H12K(图中标记为NCE30H10K)。下图是NCE30H12K的部分参数。
2018-09-13_151939.jpg

2018-09-13_151539.jpg 2018-09-13_151510.jpg 2018-09-13_151453.jpg

当CTRL_MOTOR为高电平时,此时电流大概有10A以上,过十几秒NCE30H12K会特别烫(不能摸)。这应该不是正常现象吧。

当把Q5的3脚跳线到3.3V,即用3.3V电平控制NCE30H12K时,现象相同。
请问电路或者选料存在什么问题吗???

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发表于 2018-9-13 16:56:04 | 显示全部楼层
你那R14, 100K太大了, 减100倍吧
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发表于 2018-9-13 17:03:01 | 显示全部楼层
本帖最后由 edmund1234 于 2018-9-13 17:05 编辑

MOS的G极需要3V才能初步导通, 而Igs需要250uA, 这250uA由R14提供, 250uA x 100K = 25V, 即你的电源需要25V以上才能给G极3V
另外MOS会发热的另一原因是VGS的边沿时间太长, 而取这么大的R, RC的效应会很明显
要是我, R14我会用100R(当然要考虑此电阻的功率)
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发表于 2018-9-13 17:05:51 | 显示全部楼层
没有完全导通,G极电压太小了,你把Q5换成个NPN
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 楼主| 发表于 2018-9-13 18:30:34 | 显示全部楼层
edmund1234 发表于 2018-9-13 17:03
MOS的G极需要3V才能初步导通, 而Igs需要250uA, 这250uA由R14提供, 250uA x 100K = 25V, 即你的电源需要25 ...

多谢多谢。我试试
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发表于 2018-9-13 19:10:30 来自手机 | 显示全部楼层
10A电流,Rds=4.5m-3.5m不用散热片,当然会发热
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发表于 2018-9-15 00:49:06 | 显示全部楼层
R18建议改为470R,Q5-G端最好加47K下拉(保证单片机复位时,电平稳定为低电平),Q4如开关频率不高没有问题,注意Q5和Q4共地连接,如开关频率高,改8550 8050等组成的图腾驱动Q4
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发表于 2018-9-15 01:00:51 | 显示全部楼层
仔细看你这电路,逻辑都是错的,CTRL_MOTOR是3.3V电平,光耦不导通,Q5导通,Q4-1脚电压被R18 R27分压成7.4/2=3.7V,不足驱动大功率MOS导通,你光耦没接但你那R27干扰了分压
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发表于 2018-9-17 09:53:30 | 显示全部楼层
好复杂  作为新手的我完全看不懂  表示还需要多多努力啊
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发表于 2018-9-17 15:49:23 | 显示全部楼层
g-s缺下拉电阻。光耦没焊,那Q5高电平,Q4栅极被拉低,怎么能导通呢??没到通还烫管子还是好的么?
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