论坛元老
 
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发表于 2018-8-16 08:14:00
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个人觉得楼主说的问题与Flash的写寿命无关。Flash芯片一般标称的数据存储时间是十年左右,因为组成Flash芯片最基本的MOS管结构本质上还是一个锁电子的结构,不可避免地会出现漏电现象,时间一长,电平不够就可能出现难以预料的位翻转。之前我买过一个质量不是特好的U盘,大约是15年10月份掉床底了,然后17年5月份重新找到了,之前存的文件就有些出乱码了。后来格式化还能正常使用,预计就是类似的问题。
如果可以从外部FLASH运行程序的话倒是有个软硬结合的方法,设置多片(三片及以上)Flash冗余存储程序。每隔一定时间(例如一个月)就自动对比所有flash芯片中存储的数据,如果其中有一个和其他几片的数据都不同,那么说明这个flash芯片内部MOS管漏电差不多了,就借用其他FLASH芯片的数据重新烧写一遍。然后再校验一遍,确认无误后从最近烧写的芯片(因为这个出问题的概率最小)中执行程序。
对于片内flash部分……我没有什么好办法,等待其他大神的好点子。
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