STM32F03 用FLASH 模拟EEPROM 多次写数据，导致MCU挂了死掉，断电在上电可以起来，说明程序APP区域没有被修改或者出错

核子霹雳 · 发表于 2018-8-8 15:08:31

本帖最后由核子霹雳于 2018-8-8 15:10 编辑

flash 总大小是64K  0x10000

bootload 分配  0x08000000~0x080003000
虚拟EEPROM 分配  0x08003060 -0x08003500
APP 分配  0x08003500 -0x0800CB00

现在调用
void JTHAL_STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,  const u16 *pBuffer, u16 NumToWrite)
{
u32  secpos; //扇区地址
u16 secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
u16 i;
u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址
u16 *pBuff = (u16 *)STMFLASH_BUF;


if(WriteAddr < JTSTM32_FLASH_BASE || (WriteAddr >= (JTSTM32_FLASH_BASE + 1024 * STM32_FLASH_SIZE)))
      return; //非法地址

FLASH_Unlock();                   //解锁
offaddr = WriteAddr - JTSTM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos = offaddr / STM_SECTOR_SIZE;    //扇区地址
secoff = (offaddr % STM_SECTOR_SIZE) / 2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain = STM_SECTOR_SIZE / 2 - secoff; //扇区剩余空间大小
if(NumToWrite <= secremain)
      secremain = NumToWrite; //不大于该扇区范围

while(1)
{


      JTHAL_STMFLASH_Read(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE, pBuff, STM_SECTOR_SIZE / 2); //读出整个扇区的内容
      for(i = 0; i < secremain; i++) //校验数据
      {
         if(pBuff[secoff + i] != 0XFFFF)break; //需要擦除
      }
      if(i < secremain) //需要擦除
      {
         FLASH_ErasePage(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE); //擦除这个扇区
         for(i = 0; i < secremain; i++) //复制
         {

            pBuff[i + secoff] = pBuffer;
         }

         iHAL_STMFLASH_Write_NoCheck(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE, pBuff, STM_SECTOR_SIZE / 2); //写入整个扇区
      }
      else
            {

         iHAL_STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr, pBuffer, secremain); //写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
            }

      if(NumToWrite == secremain)
         break; //写入结束了
      else//写入未结束
      {
      sTestNum2++;
         secpos++;             //扇区地址增1
         secoff = 0;          //偏移位置为0
         pBuffer += secremain; //指针偏移
         // WriteAddr += secremain; //写地址偏移
         WriteAddr += secremain*2; //写地址偏移
         NumToWrite -= secremain; //字节(16位)数递减
         if(NumToWrite > (STM_SECTOR_SIZE / 2))
            secremain = STM_SECTOR_SIZE / 2; //下一个扇区还是写不完
         else
            secremain = NumToWrite; //下一个扇区可以写完了
      }
};
FLASH_Lock();//上锁
}

有没有大神遇到过，如何避免，或者有其他新方式。求大神们，原子哥指导下

ssssssssssss · 发表于 2018-8-8 15:19:48

感觉是哪里有while（1）卡住了

核子霹雳 · 发表于 2018-8-8 15:22:20

ssssssssssss 发表于 2018-8-8 15:19
感觉是哪里有while（1）卡住了

刚才加了打印执行到 FLASH_ErasePage(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE)擦除扇区死了，死在了擦除扇区。有何方式避免扇区擦除导致MCU挂了？

ssssssssssss · 发表于 2018-8-8 15:23:59

核子霹雳发表于 2018-8-8 15:22
刚才加了打印执行到 FLASH_ErasePage(secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE)擦除扇区死了， ...

secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE 看看这几个参数

核子霹雳 · 发表于 2018-8-8 15:33:53

ssssssssssss 发表于 2018-8-8 15:23
secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE 看看这几个参数

在看，有可能是分配区域的问题

核子霹雳 · 发表于 2018-8-8 16:07:30

ssssssssssss 发表于 2018-8-8 15:23
secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE 看看这几个参数

还是擦除这块出问题，区域分配没什么问题，    secpos * STM_SECTOR_SIZE + JTSTM32_FLASH_BASE
secpos=12
STM_SECTOR_SIZE  1024

JTSTM32_FLASH_BASE 0x08000000

我把 EEPROM 区域改为  0x08003000~0x08003400

一样会死掉