用flash存储时未擦除

xxx4462 · 发表于 2018-5-21 14:23:05

其中sum1是多位数  result是字符串数组 data是u8数组    if(sum1!=a)
{
sprintf(result,"%d",sum1);
STMFLASH_Write(0X08050000,(u16*)result,5);
// LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"FLASH Write Finished!");
}
if(LED0==0)
{
STMFLASH_Read(0X08050000,(u16*)data,5);
LCD_ShowString(30,190,200,16,16,datatemp);
sscanf(data,"%d",&sum1);
LCD_ShowNum(200,250,sum1,4,24);
            }

在使用flash存储时调用函数，输入sum1时有时可以存储并显示出来。有时输入sum1，不能显示刚输入的sum1，而是以前输入的，这么回事？如何解决？

动次打次歌 · 发表于 2018-5-21 15:45:45

写flash的函数发出来啊，这个看的出啥吗

xxx4462 · 发表于 2018-5-21 22:05:40

动次打次歌发表于 2018-5-21 15:45
写flash的函数发出来啊，这个看的出啥吗

就是例程里的这个写函数

//′óÖ¸¶¨μØÖ·¿aê¼D′èëÖ¸¶¨3¤¶èμÄêy¾Y
//WriteAddr:Æeê¼μØÖ·(′ËμØÖ·±ØDëÎa2μÄ±¶êy!!)
//pBuffer:êy¾YÖ¸Õë
//NumToWrite:°ë×Ö(16Î»)êy(¾íêÇòaD′èëμÄ16Î»êy¾YμÄ¸öêy.)
#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //×Ö½ú
#else
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
#endif
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//×î¶àêÇ2K×Ö½ú
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos;    //éèÇøμØÖ·
u16 secoff;    //éèÇøÄúÆ«òÆμØÖ·(16Î»×Ö¼ÆËã)
u16 secremain; //éèÇøÄúê￡óàμØÖ·(16Î»×Ö¼ÆËã)
u16 i;
u32 offaddr; //è￥μô0X08000000oóμÄμØÖ·
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//·Ç·¨μØÖ·
FLASH_Unlock(); //½aËø
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //êμ¼êÆ«òÆμØÖ·.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //éèÇøμØÖ·  0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //ÔúéèÇøÄúμÄÆ«òÆ(2¸ö×Ö½úÎa»ù±¾μ￥Î».)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //éèÇøê￡óà¿Õ¼ä′óD¡
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//2»′óóú¸ÃéèÇø·¶Î§
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//¶á3öÕû¸öéèÇøμÄÄúèY
for(i=0;i<secremain;i++)//D￡Ñéêy¾Y
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//Dèòa2á3y
}
if(i<secremain)//Dèòa2á3y
{
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//2á3yÕa¸öéèÇø
for(i=0;i<secremain;i++)//¸′ÖÆ
{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//D′èëÕû¸öéèÇø
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//D′òÑ¾-2á3yáËμÄ,Ö±½óD′èëéèÇøê￡óàÇø¼ä.
if(NumToWrite==secremain)break;//D′èë½áêøáË
else//D′èëÎ′½áêø
{
secpos++; //éèÇøμØÖ·Ôö1
secoff=0; //Æ«òÆÎ»ÖÃÎa0
   pBuffer+=secremain;    //Ö¸ÕëÆ«òÆ
WriteAddr+=secremain; //D′μØÖ·Æ«òÆ
   NumToWrite-=secremain; //×Ö½ú(16Î»)êyμY¼õ
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//ÏÂò»¸öéèÇø»1êÇD′2»íê
else secremain=NumToWrite;//ÏÂò»¸öéèÇø¿éòÔD′íêáË
}
};
FLASH_Lock();//éÏËø
}

正点原子 · 发表于 2018-5-22 01:19:18

仿真走一下整个流程，再下结论。

xxx4462 · 发表于 2018-5-24 16:13:30

正点原子发表于 2018-5-22 01:19
仿真走一下整个流程，再下结论。

有时行有时不行

simms01 · 发表于 2018-5-24 17:17:55

擦除写入 flash 后延时一点点再读试试估计是临界有时写完你读就好了没写完你读就还是之前的数

哆啦A萌 · 发表于 2018-5-24 19:17:49

正点原子发表于 2018-5-22 01:19
仿真走一下整个流程，再下结论。

原子哥，我flash操作用的也是你的历程代码，然后写入某个区域时，写入一般都是十个字节以内，但是有的时候写入了读取出来还是前一次的数值，换一个写入区域就是就写入正常，（只是单纯的改了一下写入区域的地址，其他地方没做更改），有的时候有些区域只能写入一次，后续再写入都是第一次写入的数值，仿真写入的代码也都是正常运行