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用flash存储时未擦除

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发表于 2018-5-21 14:23:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
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其中sum1是多位数  result是字符串数组   data是u8数组                           if(sum1!=a)
                {
                        sprintf(result,"%d",sum1);
                        STMFLASH_Write(0X08050000,(u16*)result,5);
                //        LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"FLASH Write Finished!");
                }
        if(LED0==0)       
                {
                        STMFLASH_Read(0X08050000,(u16*)data,5);
                        LCD_ShowString(30,190,200,16,16,datatemp);
                        sscanf(data,"%d",&sum1);
                        LCD_ShowNum(200,250,sum1,4,24);     
               }  

在使用flash存储时调用函数 ,输入sum1时有时可以存储并显示出来。有时输入sum1,不能显示刚输入的sum1,而是以前输入的,这么回事?如何解决?


正点原子逻辑分析仪DL16劲爆上市
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发表于 2018-5-21 15:45:45 | 显示全部楼层
写flash的函数发出来啊,这个看的出啥吗
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 楼主| 发表于 2018-5-21 22:05:40 | 显示全部楼层
动次打次歌 发表于 2018-5-21 15:45
写flash的函数发出来啊,这个看的出啥吗

就是例程里的这个写函数




//′óÖ¸¶¨μØÖ·¿aê¼D′èëÖ¸¶¨3¤¶èμÄêy¾Y
//WriteAddr:Æeê¼μØÖ·(′ËμØÖ·±ØDëÎa2μı¶êy!!)
//pBuffer:êy¾YÖ¸Õë
//NumToWrite:°ë×Ö(16λ)êy(¾íêÇòaD′èëμÄ16λêy¾Yμĸöêy.)
#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //×&#214;&#189;ú
#else
#define STM_SECTOR_SIZE        2048
#endif                 
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//×&#238;&#182;àê&#199;2K×&#214;&#189;ú
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)       
{
        u32 secpos;           //éè&#199;&#248;μ&#216;&#214;·
        u16 secoff;           //éè&#199;&#248;&#196;ú&#198;&#171;ò&#198;μ&#216;&#214;·(16&#206;&#187;×&#214;&#188;&#198;&#203;&#227;)
        u16 secremain; //éè&#199;&#248;&#196;úê£óàμ&#216;&#214;·(16&#206;&#187;×&#214;&#188;&#198;&#203;&#227;)          
        u16 i;   
        u32 offaddr;   //è¥μ&#244;0X08000000oóμ&#196;μ&#216;&#214;·
        if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//·&#199;·¨μ&#216;&#214;·
        FLASH_Unlock();                                                //&#189;a&#203;&#248;
        offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //êμ&#188;ê&#198;&#171;ò&#198;μ&#216;&#214;·.
        secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //éè&#199;&#248;μ&#216;&#214;·  0~127 for STM32F103RBT6
        secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //&#212;úéè&#199;&#248;&#196;úμ&#196;&#198;&#171;ò&#198;(2&#184;&#246;×&#214;&#189;ú&#206;a&#187;ù±&#190;μ¥&#206;&#187;.)
        secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //éè&#199;&#248;ê£óà&#191;&#213;&#188;&#228;′óD&#161;   
        if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//2&#187;′óóú&#184;&#195;éè&#199;&#248;·&#182;&#206;§
        while(1)
        {       
                STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//&#182;á3&#246;&#213;&#251;&#184;&#246;éè&#199;&#248;μ&#196;&#196;úèY
                for(i=0;i<secremain;i++)//D£&#209;éêy&#190;Y
                {
                        if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//Dèòa2á3y            
                }
                if(i<secremain)//Dèòa2á3y
                {
                        FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//2á3y&#213;a&#184;&#246;éè&#199;&#248;
                        for(i=0;i<secremain;i++)//&#184;′&#214;&#198;
                        {
                                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;          
                        }
                        STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//D′è&#235;&#213;&#251;&#184;&#246;éè&#199;&#248;  
                }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//D′ò&#209;&#190;-2á3yá&#203;μ&#196;,&#214;±&#189;óD′è&#235;éè&#199;&#248;ê£óà&#199;&#248;&#188;&#228;.                                   
                if(NumToWrite==secremain)break;//D′è&#235;&#189;áê&#248;á&#203;
                else//D′è&#235;&#206;′&#189;áê&#248;
                {
                        secpos++;                                //éè&#199;&#248;μ&#216;&#214;·&#212;&#246;1
                        secoff=0;                                //&#198;&#171;ò&#198;&#206;&#187;&#214;&#195;&#206;a0          
                           pBuffer+=secremain;          //&#214;&#184;&#213;&#235;&#198;&#171;ò&#198;
                        WriteAddr+=secremain;        //D′μ&#216;&#214;·&#198;&#171;ò&#198;          
                           NumToWrite-=secremain;        //×&#214;&#189;ú(16&#206;&#187;)êyμY&#188;&#245;
                        if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//&#207;&#194;ò&#187;&#184;&#246;éè&#199;&#248;&#187;1ê&#199;D′2&#187;íê
                        else secremain=NumToWrite;//&#207;&#194;ò&#187;&#184;&#246;éè&#199;&#248;&#191;éò&#212;D′íêá&#203;
                }         
        };       
        FLASH_Lock();//é&#207;&#203;&#248;
}
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发表于 2018-5-22 01:19:18 | 显示全部楼层
仿真走一下整个流程,再下结论。
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 楼主| 发表于 2018-5-24 16:13:30 | 显示全部楼层
正点原子 发表于 2018-5-22 01:19
仿真走一下整个流程,再下结论。

有时行有时不行
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发表于 2018-5-24 17:17:55 | 显示全部楼层
擦除 写入 flash 后 延时一点点 再读试试  估计是临界  有时写完 你读就好了 没写完 你读就还是之前的数
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发表于 2018-5-24 19:17:49 | 显示全部楼层
正点原子 发表于 2018-5-22 01:19
仿真走一下整个流程,再下结论。

原子哥,我flash操作用的也是你的历程代码,然后写入某个区域时,写入一般都是十个字节以内,但是有的时候写入了读取出来还是前一次的数值,换一个写入区域就是就写入正常,(只是单纯的改了一下写入区域的地址,其他地方没做更改),有的时候有些区域只能写入一次,后续再写入都是第一次写入的数值,仿真写入的代码也都是正常运行
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发表于 2018-5-25 01:02:13 | 显示全部楼层
哆啦A萌 发表于 2018-5-24 19:17
原子哥,我flash操作用的也是你的历程代码,然后写入某个区域时,写入一般都是十个字节以内,但是有的时 ...

换了以后,还会出现读出来一样的情况么?
问题点在地址?
我是开源电子网www.openedv.com站长,有关站务问题请与我联系。
正点原子STM32开发板购买店铺http://openedv.taobao.com
正点原子官方微信公众平台,点击这里关注“正点原子”
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发表于 2018-5-25 01:02:14 | 显示全部楼层
哆啦A萌 发表于 2018-5-24 19:17
原子哥,我flash操作用的也是你的历程代码,然后写入某个区域时,写入一般都是十个字节以内,但是有的时 ...

换了以后,还会出现读出来一样的情况么?
问题点在地址?
我是开源电子网www.openedv.com站长,有关站务问题请与我联系。
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 楼主| 发表于 2018-5-27 23:35:01 | 显示全部楼层
哆啦A萌 发表于 2018-5-24 19:17
原子哥,我flash操作用的也是你的历程代码,然后写入某个区域时,写入一般都是十个字节以内,但是有的时 ...

有结果么  铁子
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