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求教关于Flash寿命的问题

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发表于 2018-4-12 14:07:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
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最近项目需要掉电保存功能,我打算直接将数据写在stm32自身nor flash上。那么如果我频率地对同一地址例如0x8001000进行写数据,会不会将这个地址的块写坏呢?还是说NOR FLASH内部会对写坏的块进行处理?

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不建议这么做吧。 如果是在掉电的那瞬间进行保存,那还差不多,当然要有足够的软硬件考虑。。。比如加大电容,让单片机掉电后有足够时间保存数据。 FLASH内部不会对写坏的块进行处理的,没那么爽。。。你可以做坏块处理,写入,然后读,如果不相等就是所在块坏了。 在某个固定的地址比如0x8001000保存一个“偏移量”;这个“偏移量”是你的数据开始的位置。一旦检测到“地址”所在flash块坏了,就进行地址偏移,并且修改0x8001 ...
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发表于 2018-4-12 14:07:18 | 显示全部楼层
不建议这么做吧。
如果是在掉电的那瞬间进行保存,那还差不多,当然要有足够的软硬件考虑。。。比如加大电容,让单片机掉电后有足够时间保存数据。
FLASH内部不会对写坏的块进行处理的,没那么爽。。。你可以做坏块处理,写入,然后读,如果不相等就是所在块坏了。
在某个固定的地址比如0x8001000保存一个“偏移量”;这个“偏移量”是你的数据开始的位置。一旦检测到“地址”所在flash块坏了,就进行地址偏移,并且修改0x8001000的内容“偏移量”。
这个策略可以很好地保存少量数据。。。。
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发表于 2018-4-12 15:58:11 | 显示全部楼层
是有寿命的,要看你程序写的有多频,如果需要很频繁的修改,不建议
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