待机唤醒的疑问

aswsd

根据资料做了一下总结，不知道对不对 睡眠 1.8V区域：CPU不工作，片内外设工作，寄存器和SRAM内存内容保留 VDD区域：无影响 停机 1.8V区域：CPU和片内外设都不工作，寄存器和SRAM内存内容保留 VDD区域：无影响 待机 1.8V区域：CPU和片内外设都不工作，寄存器和SRAM内存内容丢失 VDD区域：无影响 但是我看到IO电路是处于VDD供电区域，按说是无影响，但为什么待机模式下IO全变为高阻状态呢？

操作系统

待机
1.8V区域：CPU和片内外设都不工作，寄存器和SRAM内存内容丢失
内存内容都没有了.IO口的状态也就丢失了.默认状态是硬件决定的了.

aswsd

但是睡眠和停机模式下寄存器和SRAM内存内容保留，对于VDD区域也是无影响（也就是不影响IO），这怎么解释呢

aswsd

操作系统 发表于 2018-3-9 11:22
待机
1.8V区域：CPU和片内外设都不工作，寄存器和SRAM内存内容丢失
内存内容都没有了.IO口的状态也就丢失 ...

但是睡眠和停机模式下寄存器和SRAM内存内容保留，对于VDD区域也是无影响（也就是不影响IO），这怎么解释呢

操作系统

aswsd 发表于 2018-3-11 11:53
但是睡眠和停机模式下寄存器和SRAM内存内容保留，对于VDD区域也是无影响（也就是不影响IO），这怎么解 ...

芯片设计就是如此的一个功能.有什么好解释的呢

aswsd

操作系统 发表于 2018-3-12 09:16
芯片设计就是如此的一个功能.有什么好解释的呢

想明白了 谢谢