关于在STM32的FLASH上读写问题

ZDawn

     最近在学习使用IAP往FLASH上更新程序，然后遇到了很奇怪的问题。。。
     我使用的是原子哥的IAP例程（把其中的IAP更新程序部分拖出来使用），然后在STM32F103RCT6上可以正常使用，往我自己设定的FLASH地址烧写APP程序，
然后也能正常地跳转到该FLASH地址执行APP程序。
    但是我使用STM32F103R8T6和C8T6的时候出问题了，IAP往地址为0x08000000~0x08000FFF,0x08000800~0x080008FF的FLASH区域能正常烧写程序，
在地址为0x08000400~0x08004FFF,0x08000C00~0x08000CFF的FLASH区域却完全烧写不了程序(在存储区域上差不多是隔页烧写的现象，每一页的大小是1K，这一页能烧写的话，下一页就烧写不了)。
    请问这种情况该怎么调试找错？

ZDawn

啊，是我忘记设置FLASH的大小参数导致了这个问题。惭愧，尴尬。。

ZDawn

是不是因为FLASH的一些区域已经有程序或者变量占用了，导致APP程序在某些区域烧写失败？