STM32片内FLASH操作疑问？

Jundodo

[mw_shl_code=c,true]sensor_feil=mymalloc(SRAMIN,1000);
                         
                         while(feil_len)        //接收完成，更新传感器配置文件
                         {
                                if(feil_len<512)
                                        temp_len=feil_len;
                                else
                                        temp_len=512;
                                STMFLASH_Read(NEW_SENSOR_FLASH_BASE+temp_addr,(u16 *)sensor_feil,temp_len);        //
                                STMFLASH_Write(USED_SENSOR_FLASH_BASE+temp_addr,(u16 *)sensor_feil,temp_len);
                                temp_addr+=temp_len;
                                feil_len-=temp_len;
                               
                         }
                         myfree(SRAMIN,sensor_feil);[/mw_shl_code]
如果通过内存分配的方式分配一部分内存用于缓存读取到的数据，这样操作片内flash就会出错（会进入hardfault）,如果缓存是通过直接定义一个数组，如sensor_feil[512],这种操作就不会出错，可是应用中必须要用内存分配的方式操作，有没有大神知道正确的操作方式？

Jundodo

原来是我搞错啦，STM32flash读写是半字操作，所以比如需要读或两个字节，调用函数
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite);                //从指定地址开始写入指定长度的数据
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead);                   //从指定地址开始读出指定长度的数据
时，NumToRead的大小为1就可以了。

正点原子

你有没有申请成功啊？这种代码写，一定要判定是否申请成功！另外，操作不要超过你申请的范围。比如1000，你指向1000以后就可能出现hardfault

backup2k

mymalloc要判断申请是否成功，如果内存不够就会硬件错误吧！

Jundodo

正点原子 发表于 2018-2-3 00:59
你有没有申请成功啊？这种代码写，一定要判定是否申请成功！另外，操作不要超过你申请的范围。比如1000，你 ...

如果我要连续采集数据然后保存到片内flash中，片内flash的地址应该怎么操作呢？片内flash每次写入一个字节也是占用两地址，是不是每次写入一段数据以后，下次写入的起始地址就应该是上次写入的数据起始地址加上上次写入的数据长度的2倍？如
STMFLASH_Write(USED_SENSOR_FLASH_BASE,(u16 *)sensor_feil,len);//第一次写入
第二次写入起始地址是这样操作
STMFLASH_Write((USED_SENSOR_FLASH_BASE+len*2),(u16 *)sensor_feil,len);//第二次写入
还是这样操作
STMFLASH_Write(USED_SENSOR_FLASH_BASE+len,(u16 *)sensor_feil,len);//第二次写入

正点原子

Jundodo 发表于 2018-2-3 12:03
如果我要连续采集数据然后保存到片内flash中，片内flash的地址应该怎么操作呢？片内flash每次写入一个字 ...

你每次都写入偶数个数据，就行了。很好控制的。